[发明专利]一种太阳能电池片制备方法有效

专利信息
申请号: 201710111365.5 申请日: 2017-02-28
公开(公告)号: CN108511539B 公开(公告)日: 2020-02-04
发明(设计)人: 谭伟华;何龙;姜占锋;孙翔;周云坛;滕美玲 申请(专利权)人: 比亚迪股份有限公司
主分类号: H01L31/0236 分类号: H01L31/0236;H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518118 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 孔洞 电池片 太阳能电池片 光电转换效率 制备 开口 生产
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池片的制备方法,其特征在于,步骤包括:在硅基体表面开设开口宽度为500~1200nm、深度为200~500nm的基体孔洞,后经过扩散、附着减反射膜制得太阳能电池片;

步骤包括:S11,沉积金属粒子:将硅基体置于含金属离子的盐及氢氟酸的混合液中沉积金属粒子;

S21,开微纳米孔:将步骤S11所得硅基体置于含氢氟酸及双氧水的刻蚀液中刻蚀;所述刻蚀液中双氧水的体积:氢氟酸的体积:水的体积=(2~5):1:(5~8);步骤S21中所述双氧水的质量浓度为30~32%;所述氢氟酸的质量浓度为49~50%;

S31,削扩微纳米孔:将步骤S21所得硅基体置于含硝酸及氢氟酸的混合酸液中,所述混合酸液中硝酸的体积:氢氟酸的体积:水的体积=(5.0~9.0):1:(7~10);步骤S31中所述硝酸的质量浓度为65~68%;所述氢氟酸的质量浓度为49~50%;

S41、除多孔硅及微纳米孔修正:将步骤S31所得硅基体置于碱液中去除多孔硅层及对微纳米孔进行修正;

S51、去除金属粒子;

S61、扩散;

S71、镀减反射膜;

S81、制备太阳能电池电极;

制得太阳能电池片。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池片的制备方法,其特征在于,所述步骤S21中刻蚀的时间为200~300s。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池片的制备方法,其特征在于,所述步骤S31中混合酸液中硝酸的体积:氢氟酸的体积:水的体积=(6.0~8.0):1:(8~9)。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池片的制备方法,其特征在于,所述步骤S31中置于混合酸液中的时间为80~180s,混合酸液的温度为8~13℃。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池片的制备方法,其特征在于,所述步骤S41中所述碱液为质量浓度0.2~5.0%的氢氧化钠或氢氧化钾溶液,置于碱液中的时间为5.0~30s。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池片的制备方法,其特征在于,所述步骤S11中含金属离子的盐及氢氟酸的混合液中金属离子的浓度为10~100ppm,氢氟酸在混合液中的体积浓度为0.5~10%;其中,所述氢氟酸的质量浓度为49~50%;

所述步骤S51的去除金属粒子为将步骤S41所得硅基体置于含氨水与过氧化氢的溶液中。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池片的制备方法,其特征在于,所述步骤S11前还包括对硅基体进行前处理:

S01,碱初抛;

S02,酸清洗;

所述步骤S51后还包括:

S52,混酸清洗;

S53,慢提拉;

S54,干燥;

所述步骤S61后还包括:

S62、去磷硅玻璃。

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