[发明专利]一种新型钙钛矿光电探测器及其制备方法在审
申请号: | 201710108779.2 | 申请日: | 2017-02-27 |
公开(公告)号: | CN106898697A | 公开(公告)日: | 2017-06-27 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 周德明 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/48;C23C14/08;C23C14/18;C23C16/40;C23C28/00 |
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地址: | 241000 安徽省芜湖*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 钙钛矿 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于光电探测技术领域,更具体地涉及一种新型钙钛矿光电探测器及其制备方法。
背景技术
光电探测器在光通信,环境监测,图像传感、红外遥感等军事和国民经济的众多领域有着广泛的应用。有机无机杂化钙钛矿材料所具有的消光系数高、吸收范围宽、激子扩散长度长、可溶液加工等优点使其非常适宜制作光电探测器。但是钙钛矿材料稳定性能较差,在水氧条件下容易分解,造成探测器的寿命低下。在器件的制备过程中,钙钛矿层常制备在TiO2基底之上。但是,TiO2常需要经过高温灼烧,一方面造成器件制备成本高,另一方面也与柔性衬底无法兼容。目前钙钛矿光电探测器的研究尚刚刚起步,新的器件结构和器件的制备方便亟待开发。
发明内容
针对背景中的问题,本发明的目的在于提供一种新型钙钛矿光电探测器及其制备方法,通过原子层沉积技术制备TiO2致密层和无机金属氧化物界面修饰层在器件中的使用,提高了钙钛矿光电探测器的稳定性,提高了器件的探测率,降低了器件制备成本。
为实现上述目的,按照本发明的一个方面,提供了一种新型钙钛矿光电探测器,其特征在于:所述光电探测器从下至上由透明导电基底、TiO2电子传输层、光敏层、空穴传输层、界面修饰层和金属反射电极组成。
进一步的,所述的透明导电基底为ITO或者FTO透明导电玻璃,其方块电阻10-25Ω,透过率为80-95%。
进一步的,所述的电子传输层为TiO2致密层,TiO2致密层通过原子层沉积技术制备。
进一步的,所述的光敏层为CH3NH3PbX3钙钛矿材料,其中X=Cl、Br、I或者它们的混合物。
进一步的,所述的空穴传输层为spiro-OMeTAD。
进一步的,所述的界面修饰层为高功函数的无机透明金属氧化物,所述的高功函数的无机透明金属氧化物为MoO3、WO3或者V2O5。
进一步的,所述的金属反射电极为Al、Ag或者Au。
按照本发明的另一方面,提供了一种新型钙钛矿光电探测器的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
步骤(1) 透明导电基底清洗
透明导电基底依次采用丙酮、水、玻璃清洗剂清洗,清洗完毕后在异丙醇、去离子水、乙醇各超声处理15分钟,处理完毕后用高纯氮气吹干,然后放置在紫外灯下,照射20分钟;
步骤(2)原子层沉积技术制备致密TiO2电子传输层
在透明导电基底上通过原子层沉积(ALD)技术制备一层致密的TiO2作为电子传输层,TiO2层的厚度为10-30nm;
步骤(3)溶液法制备钙钛矿光敏层
所述的钙钛矿光敏层为CH3NH3PbX3,其中X=Cl、Br、I或者它们的混合物,将配置好的钙钛矿前驱体溶液通过匀胶机旋转涂覆在TiO2电子传输层上,然后在加热板上退火处理;加热温度90-110℃,退火时间30-120分钟;
步骤(4)空穴传输层的制备
将配置好的spiro-OMeTAD溶液旋涂在钙钛矿光敏层上,然后在加热板上退火处理;
步骤(5)界面修饰层的制备
所述的界面所述的界面修饰层为高功函数的无机透明金属氧化物,所述的高功函数的无机透明金属氧化物为MoO3、WO3或者V2O5;
将上述制备好的基底放入真空蒸发镀膜设备中,真空度达到小于5×10-4将MoO3、WO3或者V2O5的粉体通过真空蒸镀的方式沉积到spiro-OMeTAD空穴传输层上;
步骤(6)金属反射电极的制备
沉积完上述金属氧化物的界面修饰层继续沉积50-300nm的Al、Ag或者Au作为金属反射电极,完成器件的制备。
总体而言,按照本发明的上述技术构思与现有技术相比,主要具备以下的技术优点:
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