[发明专利]一种清除单晶硅电池片烧结后脏片的工艺

权利要求书

1.一种清除单晶硅电池片烧结后脏片的工艺，其特征在于：工艺流程步骤如下：

进舟：炉门打开，插满硅片的石墨舟以300～600cm/min的速度进到炉管内部后，炉门关闭；

抽真空：利用真空泵将炉管内部空气抽出形成负压，避免空气残留；

升温：炉管内部所有温区达到设定的温度；

检漏：检查炉管漏率是否合格，避免造成生产异常；

预沉积：通入氨气和氮气，在氮气环境的保护作用下，使氨气在射频电源作用下被电离形成等离子体，通过调节射频电源的功率控制等离子体的数量，等离子体中高速运动的电子不断撞击硅片表面，使硅片表面生长上的臭氧层被等离子体轰击脱落，通过控制沉积时间使硅片表面的臭氧层均匀，以达到标准要求；

沉积减反射膜：通入氨气和硅烷，将氨气和硅烷配比后进行反应在硅片表面沉积形成减反射膜；

抽真空：利用真空泵将炉管内部残留的剩余气体抽出，以避免打开炉门时存在安全隐患；

充氮气：炉管内通入氮气使炉管达到常压，以便炉门可以打开；

出舟：炉门打开，石墨舟以300～600cm/min的速度从炉管内移出，炉门关闭。

2.根据权利要求1所述的一种清除单晶硅电池片烧结后脏片的工艺，其特征在于：所述预沉积工序中的射频电源的功率为2000～5500W，氨气流量2～6L，氮气流量1～5L，沉积时间控制在5～30s之间。

3.根据权利要求1所述的一种清除单晶硅电池片烧结后脏片的工艺，其特征在于：所述氨气和硅烷的比值为500～900:3000～9000。