[发明专利]控制电路、外围电路、半导体存储器件及其操作方法

说明书

本文可以提供一种控制电路、外围电路、半导体存储器件以及操作该器件和电路的方法。操作半导体存储器件的方法可以包括将具有阶跃脉冲与斜坡信号组合的形式的控制信号施加到晶体管的栅电极以用于设置选中的存储单元的位线的电压。操作半导体存储器件的方法可以包括将编程脉冲施加到选中的存储单元的字线。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年9月8日在韩国知识产权局提交的申请号为10-2016-0115797的韩国专利申请的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开的各种实施例总体而言可以涉及一种电子设备，更具体地，涉及一种控制电路、外围电路、半导体存储器件以及操作该半导体存储器件和电路的方法。

背景技术

半导体存储器件是使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)或磷化铟(InP)等的半导体来实现的存储器件。半导体存储器件被分类为易失性存储器件和非易失性存储器件。

易失性存储器件是其中储存的数据在电源关断时丢失的存储器件。易失性存储器件的代表性示例包括静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)等。非易失性存储器件是其中储存的数据即使在电源关断时也保留的存储器件。非易失性存储器件的代表性示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、快闪存储器、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电式RAM(FRAM)等。快闪存储器被分类为NOR型存储器和NAND型存储器。

发明内容

在一个实施例中，可以提供一种操作半导体存储器件的方法。所述方法可以包括将具有阶跃脉冲与斜坡信号组合的形式的控制信号施加到晶体管的栅电极以用于设置选中的存储单元的位线的电压。所述方法可以包括将编程脉冲施加到选中的存储单元的字线。

本公开可以提供一种半导体存储器件。半导体存储器件可以包括单元阵列，所述单元阵列包括多个存储单元。半导体存储器件可以包括页缓冲器，所述页缓冲器被配置为在编程操作期间将设置电压提供给选中的存储单元的位线。半导体存储器件可以包括控制电路，所述控制电路被配置为控制页缓冲器，使得具有阶跃脉冲与斜坡信号组合的形式的控制信号可以被施加到晶体管的栅电极，所述晶体管可以被包括在页缓冲器中并且可以设置位线的电压。

本公开可以提供一种半导体存储器件。半导体存储器件可以包括单元阵列，所述单元阵列包括多个存储单元。半导体存储器件可以包括页缓冲器，所述页缓冲器被配置为在编程操作期间将设置电压提供给选中的存储单元的位线。半导体存储器件可以包括控制电路，所述控制电路被配置为将具有参考电压的电平的第一控制信号施加到晶体管的栅电极，以及如果预设参考时间已经过去，则施加可以随着时间增加到位线的目标设置电压的第二控制信号，所述晶体管被包括在所述页缓冲器中并且设置位线的电压。

本公开可以提供一种用于控制外围电路的方法。所述方法可以包括在基于编程操作的位线设置间隔期间，将具有阶跃脉冲与斜坡信号组合的形式的控制信号施加到晶体管的栅电极以用于设置位线的电压。所述方法可以包括将编程电压施加到选中的字线。

本公开可以提供一种位线设置控制单元。位线设置控制单元可以包括参考电压放大单元，所述参考电压放大单元被配置为基于仅在位线设置间隔期间输入的页缓冲器感测使能信号来输出具有参考电压的电平的阶跃脉冲。位线设置控制单元可以包括斜坡信号发生单元，所述斜坡信号发生单元被配置为产生随时间增加的斜坡信号。位线设置控制单元可以包括斜坡信号激活单元，所述斜坡信号激活单元被配置为如果位线设置间隔已经过去，则基于输入的高电压使能信号来输出斜坡信号作为控制信号。

附图说明

图1是图示存储系统的配置的示例的代表的框图。