[发明专利]一种OLED器件的封装结构及其制备方法、金属掩膜板

权利要求书

1.一种OLED器件的封装结构，其特征在于，包括：在OLED器件上方的若干层交替的阻挡层和缓冲层，至少一层所述阻挡层为图案化结构；所述缓冲层填充在所述阻挡层的图案化区域内。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，若干层所述阻挡层中，上一层阻挡层覆盖下一层阻挡层的图案化区域。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，若干层所述阻挡层中，除最上层的所述阻挡层外其余的所述阻挡层均为图案化结构；其中，所述最上层的所述阻挡层整面覆盖其下一层的所述阻挡层和缓冲层；或

最上层的所述缓冲层整面覆盖其下一层的所述缓冲层和所述阻挡层，所述最上层的所述阻挡层整面覆盖所述最上层缓冲层。

4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，若干层所述阻挡层中，越靠近所述OLED器件，所述阻挡层的厚度越厚。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述阻挡层为金属氧化物；所述缓冲层为有机聚合物、树脂或硅基碳氧化物。

6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述阻挡层的图案化区域包括多个长方形、多个椭圆形或多个多边形，其中，所述多边形由多个宽度不同的长方形交替连接形成；

所述多个长方形、椭圆形或多边形为平行或交错结构。

7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括有机平坦层，所述有机平坦层设置在若干层所述阻挡层中最下层的所述阻挡层和所述OLED器件之间。

8.一种OLED器件封装结构的制备方法，其特征在于，包括：

在OLED器件的上方形成若干层交替的阻挡层和缓冲层；其中，至少一层所述阻挡层通过掩膜板刻蚀形成图案化结构；将所述缓冲层填充在所述阻挡层的图案化区域内。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，制备若干层所述阻挡层时，上一层阻挡层覆盖下一层阻挡层的图案化区域。

10.一种金属掩膜板，其特征在于，用于制造权利要求1至7所述的OLED器件的封装结构的阻挡层；

所述金属掩膜板包括非镂空区和镂空区；所述镂空区离散的设置在所述非镂空区内；镀膜材料从所述镂空区中通过，并被所述非镂空区阻挡，以形成与所述非镂空区和镂空区对应的图案化的所述阻挡层。