[发明专利]非接触式半导体晶片测厚装置

权利要求书

1.一种非接触式半导体晶片测厚装置，其特征在于，包括：试件托盘、托盘平移丝杠、底座、试件旋转电机和激光位移传感器；

所述底座固定在测量台面上，所述托盘平移丝杠布置在底座上，被测晶片或陶瓷盘放置在所述试件托盘上，所述试件托盘与所述托盘平移丝杠、所述试件旋转电机连接，所述托盘平移丝杠带动所述试件托盘平行移动，所述试件旋转电机带动所述试件托盘旋转；

所述激光位移传感器设置在所述试件托盘的上方，所述激光位移传感器测量被测晶片或陶瓷盘上的晶片至测量基准面之间的距离。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：定位CCD；

所述定位CCD设置在所述试件托盘的上方，采集所述被测晶片或陶瓷盘的图像信息，根据所述图像信息确定所述被测晶片或陶瓷盘的位置信息。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，在所述试件托盘的上方和下发分别设置一个点激光位移传感器，上下两个点激光位移传感器的测量点连线垂直于所述试件托盘平面。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，上下两个点激光位移传感器之间通过传感器调距丝杆连接，通过所述传感器调距丝杆调节所述上下两个点激光位移传感器之间的距离。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述试件托盘为圆柱形，所述试件托盘的上表面设置放置陶瓷盘的凹槽和放置晶片的圆孔。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，多个所述圆孔环绕所述试件托盘的上表面的圆心等间距设置。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，上下两个点激光位移传感器分别设置在放置晶片的圆孔的两侧，利用所述上下两个激光位移传感器的测量差获取所述晶片的厚度。