[发明专利]存储器件

说明书

本公开涉及存储器件。一种存储器件可以包括：衬底；第一导线，其在衬底上并且在第一方向上延伸；第二导线，其在第一导线上方并且在交叉第一方向的第二方向上延伸；第三导线，其在第二导线上方并且在第一方向上延伸；第一存储单元，其在第一导线和第二导线的交点处并且包括第一选择元件层和第一可变电阻层；以及第二存储单元，其在第二导线和第三导线的交点处并且包括第二选择元件层和第二可变电阻层。第一选择元件层在垂直于第一和第二方向的第三方向上的第一高度不同于第二选择元件层在第三方向上的第二高度。

技术领域

本公开的实施方式涉及存储器件。更具体地，本公开的实施方式涉及具有交叉点结构(cross-point structure)的存储器件。

背景技术

随着电子器件的尺寸已被减小，半导体存储器件的集成已被增大。因此，三维交叉点存储器件已经被研究以被按比例缩小，所述三维交叉点存储器件包括多个布置在彼此交叉的两个电极的相交点处的存储单元。然而，在按比例缩小的工艺中，由于用于形成三维交叉点阵列存储器件的层的厚度也被减小，暴露于高温工艺的层能被轻易损坏并劣化。因此，三维交叉点存储器件的电特性可以劣化。

发明内容

根据示例实施方式，一种存储器件可以包括：衬底；多条第一导线，所述多条第一导线在衬底上，其在平行于衬底的顶表面的第一方向上延伸并且在交叉第一方向的第二方向上彼此间隔开；多条第二导线，所述多条第二导线在所述多条第一导线之上，其在第二方向上延伸并且在第一方向上彼此间隔开；多条第三导线，所述多条第三导线在所述多条第二导线之上，其在第一方向上延伸并且在第二方向上彼此间隔开；多个第一存储单元，所述多个第一存储单元在所述多条第一导线和所述多条第二导线的各交点处，所述多个第一存储单元中的每个包括第一选择元件层和第一可变电阻层；以及多个第二存储单元，所述多个第二存储单元在所述多条第二导线和所述多条第三导线的各交点处，所述多个第二存储单元中的每个包括第二选择元件层和第二可变电阻层。第一选择元件层在垂直于第一和第二方向的第三方向上的第一高度可以不同于第二选择元件层在第三方向上的第二高度。第一和第二可变电阻层可以由相同材料制成，并且第一和第二选择元件层可以由相同材料制成。

根据示例实施方式，一种存储器件可以包括：衬底；多条第一导线，所述多条第一导线在衬底上，其在平行于衬底的顶表面的第一方向上延伸并且在交叉第一方向的第二方向上彼此间隔开；多条第二导线，所述多条第二导线在所述多条第一导线之上，其在第二方向上延伸并且在第一方向上彼此间隔开；多条第三导线，所述多条第三导线在所述多条第二导线之上，其在第一方向上延伸并且在第二方向上彼此间隔开；多个第一存储单元，所述多个第一存储单元在所述多条第一导线和所述多条第二导线的各交点处，所述多个第一存储单元中的每个包括在垂直于第一和第二方向的第三方向上被顺序堆叠的第一选择元件层和第一可变电阻层；以及多个第二存储单元，所述多个第二存储单元在所述多条第二导线和所述多条第三导线的各交点处，所述多个第二存储单元中的每个包括在第三方向上被顺序堆叠的第二选择元件层和第二可变电阻层。第一选择元件层在第三方向上的厚度大于第二选择元件层在第三方向上的厚度。第一和第二可变电阻层可以由相同材料制成，并且第一和第二选择元件层可以由相同材料制成。

根据示例实施方式，一种存储器件可以包括：衬底；布置在衬底上的第一字线层；布置在第一字线层上的公共位线层；第二字线层，第二字线层被布置在公共位线上使得公共位线层垂直地在第一字线层和第二字线层之间；第一存储单元层，第一存储单元层包括垂直堆叠的第一可变电阻层和第一双向阈值开关层，第一存储单元层在垂直方向上被布置在第一字线层和公共位线层之间；以及第二存储单元层，第二存储单元层包括垂直堆叠的第二可变电阻层和第二双向阈值开关层，第二存储单元层在垂直方向上被布置在第二字线层和公共位线层之间。第一和第二可变电阻层可以由相同材料制成，并且第一和第二双向阈值开关层可以由相同材料形成。第一双向阈值开关层在垂直方向上的第一厚度可以不同于第二双向阈值开关层在垂直方向上的第二厚度。

附图说明

由以下结合幅图的详细描述，本公开的示例实施方式将被更清楚地理解，其中：