[发明专利]存储器件

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

衬底；

所述衬底上的多条第一导线，所述多条第一导线在平行于所述衬底的顶表面的第一方向上延伸并且在交叉所述第一方向的第二方向上彼此间隔开；

多条第二导线，其在所述多条第一导线上方，所述多条第二导线在所述第二方向上延伸并且在所述第一方向上彼此间隔开；

多条第三导线，其在所述多条第二导线上方，所述多条第三导线在所述第一方向上延伸并且在所述第二方向上彼此间隔开；

多个第一存储单元，其在所述多条第一导线和所述多条第二导线的各交点处，所述多个第一存储单元中的每个包括第一选择元件层和第一可变电阻层；以及

多个第二存储单元，其在所述多条第二导线和所述多条第三导线的各交点处，所述多个第二存储单元中的每个包括第二选择元件层和第二可变电阻层，

其中所述第一选择元件层和所述第二选择元件层中的每个包括其电阻根据施加于其两端的电压可变的材料层，且所述第一选择元件层在垂直于所述第一方向和第二方向的第三方向上的第一高度不同于所述第二选择元件层在所述第三方向上的第二高度，以及

其中所述第一可变电阻层和第二可变电阻层由相同材料制成，以及所述第一选择元件层和第二选择元件层由相同材料制成。

2.如权利要求1所述的存储器件，其中所述第一选择元件层的阈值电压和所述第二选择元件层的阈值电压之间的大小的差异小于所述第一选择元件层的所述阈值电压的10％。

3.如权利要求1所述的存储器件，其中所述第二选择元件层的阈值电压的大小在所述第一选择元件层的阈值电压的大小的90％到110％的范围内。

4.如权利要求1所述的存储器件，其中所述第一选择元件层的所述第一高度大于所述第二选择元件层的所述第二高度。

5.如权利要求4所述的存储器件，其中所述存储器件被配置使得字线选择电压被施加到所述多条第一导线中的一条或者所述多条第三导线中的一条并且小于所述字线选择电压的位线选择电压被施加到所述多条第二导线中的一条。

6.如权利要求4所述的存储器件，其中所述第二选择元件层的所述第二高度在所述第一选择元件层的所述第一高度的50％到90％的范围内。

7.如权利要求1所述的存储器件，其中所述第一选择元件层的所述第一高度小于所述第二选择元件层的所述第二高度。

8.如权利要求7所述的存储器件，其中所述第一选择元件层的所述第一高度在所述第二选择元件层的所述第二高度的50％到90％的范围内。

9.如权利要求7所述的存储器件，其中所述存储器件被配置使得字线选择电压被施加到所述多条第一导线中的一条或者所述多条第三导线中的一条并且大于所述字线选择电压的位线选择电压被施加到所述多条第二导线中的一条。

10.如权利要求1所述的存储器件，其中所述第一选择元件层和所述第二选择元件层中的每个具有双向阈值开关性能。

11.如权利要求1所述的存储器件，其中所述多个第一存储单元中的每个还包括所述第一可变电阻层和所述多条第一导线中相应的一条之间的第一加热电极层，以及所述多个第二存储单元中的每个还包括所述第二可变电阻层和所述多条第三导线中相应的一条之间的第二加热电极层。

12.如权利要求1所述的存储器件，其中所述多个第一存储单元中的每个还包括所述第一可变电阻层和所述多条第二导线中相应的一条之间的第一加热电极层，以及所述多个第二存储单元中的每个还包括所述第二可变电阻层和所述多条第二导线中相应的一条之间的第二加热电极层。