[发明专利]一种直接在导电玻璃上生长氧化钨薄膜的方法

权利要求书

1.一种直接在导电玻璃上生长氧化钨薄膜的方法，其特征在于，具体步骤如下：

①将六氯化钨、无水乙醇、四氢呋喃和聚乙二醇混合得到反应前驱体 溶液；

②将步骤①得到的反应前驱体溶液转移到水热反应釜中，并向水热反应釜中放入FTO导电玻璃，其导电面朝下，175℃~185℃的温度下进行水热反应，水热反应的时间为6 h～12h，反应结束后，自然冷却至室温，取出反应釜中的FTO导电玻璃，冲洗、干燥得到水合氧化钨薄膜；最后将水合氧化钨薄膜在马弗炉中380~410℃煅烧，得到氧化钨薄膜；得到的氧化钨薄膜的表面微观结构为纳米线形成的纳米簇状或纳米片状；其中：步骤①中，反应前驱体溶液中，六氯化钨和无水乙醇的摩尔体积比为1:1~1:2mol/L；无水乙醇、四氢呋喃与聚乙二醇的体积比为(20~30):(10~20):1。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤中，水热反应时间为6~8h。