[发明专利]等离子体处理方法

说明书

技术领域

本公开涉及对保持在运输载体的基板进行等离子体处理的方法。

背景技术

作为切割基板的方法，已知有对形成了抗蚀剂掩模的基板实施等离子体蚀刻而将其分割为单个芯片的等离子体切割。专利文献1公开了如下内容，即，为了提高传送等时的基板的操作性，在将基板保持在具备框架和覆盖框架的开口部的保持片的运输载体的状态下，将其载置在等离子体处理装置具备的载置台，并进行等离子体处理。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-94436号公报

发明内容

保持片的厚度小，易挠曲。因此，保持了基板的运输载体有时以保持片产生了褶皱的状态载置到载置台。当在保持片残留有褶皱的状态下进行等离子体处理时，会在褶皱的部分产生异常放电，或者使褶皱的部分的温度上升，从而难以正常进行等离子体处理。

本公开的一个方面是将保持在运输载体的基板载置在等离子体处理装置具备的载置台并对基板进行等离子体处理的等离子体处理方法，其特征如下。即，包括：准备工序，准备运输载体，运输载体具备保持片和配置在保持片的外周部的框架；以及基板保持工序，将基板粘接到保持片，使运输载体保持基板。还包括：张力增加工序，使保持片的张力增加；载置工序，在基板保持工序之后，将运输载体载置在载置台，使基板隔着保持片与载置台接触；以及等离子体处理工序，在载置工序之后，对基板实施等离子体处理。此外，张力增加工序包括使保持片收缩的收缩步骤，收缩步骤在准备工序与等离子体处理工序之间进行。

发明效果

根据本公开涉及的发明，能够在保持片没有褶皱的状态下对基板进行等离子体处理，因此可提高产品的成品率。

附图说明

图1A是概略性地示出本公开的实施方式涉及的保持了基板的运输载体的俯视图。

图1B是本公开的实施方式涉及的保持了基板的运输载体的IB-IB线处的剖视图。

图2是用剖面示出本公开的实施方式涉及的等离子体处理装置的概略构造的概念图。

图3是示出本公开的第一实施方式涉及的等离子体处理方法的流程图。

图4A是示出本公开的第一实施方式涉及的等离子体处理方法的一部分的概念图。

图4B是示出本公开的第一实施方式涉及的等离子体处理方法的一部分的概念图。

图4C是示出本公开的第一实施方式涉及的等离子体处理方法的一部分的概念图。

图4D是示出本公开的第一实施方式涉及的等离子体处理方法的一部分的概念图。

图4E是示出本公开的第一实施方式涉及的等离子体处理方法的一部分的概念图。

图4F是示出本公开的第一实施方式涉及的等离子体处理方法的一部分的概念图。

图5是示出本公开的第二实施方式涉及的等离子体处理方法的流程图。

图6A是示出本公开的第二实施方式涉及的等离子体处理方法的一部分的概念图。

图6B是示出本公开的第二实施方式涉及的等离子体处理方法的一部分的概念图。

图6C是示出本公开的第二实施方式涉及的等离子体处理方法的一部分的概念图。

图6D是示出本公开的第二实施方式涉及的等离子体处理方法的一部分的概念图。

图6E是示出本公开的第二实施方式涉及的等离子体处理方法的一部分的概念图。

图7是示出本公开的第三实施方式涉及的等离子体处理方法的流程图。

图8A是示出本公开的第三实施方式涉及的等离子体处理方法的一部分的概念图。

图8B是示出本公开的第三实施方式涉及的等离子体处理方法的一部分的概念图。

图8C是示出本公开的第三实施方式涉及的等离子体处理方法的一部分的概念图。

图8D是示出本公开的第三实施方式涉及的等离子体处理方法的一部分的概念图。

图8E是示出本公开的第三实施方式涉及的等离子体处理方法的一部分的概念图。

符号说明

1：基板

2：框架

2a：凹口

2b：切角

3：保持片

3a：粘接面

3b：非粘接面

10：运输载体

20：架台

21：热板

21a：加热器

30：掩模

100：等离子体处理装置

103：真空腔

103a：气体导入口

103b：排气口