[发明专利]等离子体处理方法在审
申请号: | 201710091498.0 | 申请日: | 2017-02-20 |
公开(公告)号: | CN107154369A | 公开(公告)日: | 2017-09-12 |
发明(设计)人: | 置田尚吾;针贝笃史 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 李国华 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 处理 方法 | ||
1.一种等离子体处理方法,将保持在运输载体的基板载置在等离子体处理装置具备的载置台,并对所述基板进行等离子体处理,所述等离子体处理方法包括:
准备工序,准备所述运输载体,所述运输载体具备保持片和配置在所述保持片的外周部的框架;
基板保持工序,将所述基板粘接到所述保持片,使所述运输载体保持所述基板;
张力增加工序,使所述保持片的张力增加;
载置工序,在所述基板保持工序之后,将所述运输载体载置在所述载置台,使所述基板隔着所述保持片与所述载置台接触;以及
等离子体处理工序,在所述载置工序之后,对所述基板实施等离子体处理,
所述张力增加工序包括使所述保持片收缩的收缩步骤,
所述收缩步骤在所述准备工序与所述等离子体处理工序之间进行。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法,所述张力增加工序包括在所述收缩步骤之前对所述保持片进行加热而使所述保持片伸长的加热步骤,
所述收缩步骤是对所述保持片进行冷却而使所述保持片收缩的冷却步骤。
3.根据权利要求2所述的等离子体处理方法,所述加热步骤是在所述基板保持工序中对粘接所述基板之前的所述保持片进行加热的步骤。
4.根据权利要求2所述的等离子体处理方法,通过对所述保持片照射紫外线,从而进行所述加热步骤。
5.根据权利要求2所述的等离子体处理方法,通过使所述保持片暴露于等离子体,从而进行所述加热步骤。
6.根据权利要求1所述的等离子体处理方法,所述收缩步骤是对所述保持片照射紫外线的紫外线照射步骤。
7.根据权利要求6所述的等离子体处理方法,通过使所述保持片暴露于等离子体,从而进行所述紫外线照射步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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