[发明专利]一种N型选择性发射极双面电池及其加工方法在审
| 申请号: | 201710090233.9 | 申请日: | 2017-02-20 | 
| 公开(公告)号: | CN106784053A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 | 
| 发明(设计)人: | 李华;鲁伟明 | 申请(专利权)人: | 泰州乐叶光伏科技有限公司 | 
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18 | 
| 代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人: | 邓道花 | 
| 地址: | 225300 *** | 国省代码: | 江苏;32 | 
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 选择性 发射极 双面 电池 及其 加工 方法 | ||
1.一种N型选择性发射极双面电池,其特征在于:包括N型基体(1),N型基体(1),一侧依次设置有重掺杂发射极区域(2)、轻掺杂发射极区域(3)、正面钝化减反膜(4)、正面电极(5),另一侧依次设置有磷掺杂背表面场区域(6)、背面钝化减反膜(7)和背面电极(8);其中:正面电极(5)穿过正面钝化减反膜(4)与重掺杂发射电极(2)形成欧姆接触;背面电极(8)穿过背面钝化减反膜(7)与磷掺杂背表面场(6)形成欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的一种N型选择性发射极双面电池,其特征在于:重掺杂发射极区域(2)由若干个直线形、线段形或者圆形发射极单元(21)排列而成,每一个发射极单元(21)的宽度或者直径为80微米-300微米,重掺杂区域面积占正表面面积的4%-30%。
3.根据权利要求2所述的一种N型选择性发射极双面电池,其特征在于:重掺杂发射极区域(2)的若干个发射极单元(21)为直线时, 其上形成局部接触电极(11),局部接触电极(11)之间通过主栅线(9)连接;重掺杂发射极区域(2)的若干个发射极单元(21)为线段或者圆形时,其上形成局部接触电极(11),局部接触电极(11)之间通过若干连接栅线(10)连接,若干连接栅线(10)之间通过一系列主栅线(9)汇流,并且连接栅线(10)、主栅线(9)不与磷掺杂背表面场(6)形成欧姆接触。
4.根据权利要求3所述的一种N型选择性发射极双面电池,其特征在于:重掺杂发射极区域(2)的发射极单元(21)为直线形或线段形时,其宽度为10-100μm;圆形时,直径为30-100μm;连接栅线(10)宽度为20μm-100μm,主栅线(9)宽度为0.5mm-1.5mm。
5.根据权利要求1所述的一种N型选择性发射极双面电池,其特征在于:轻掺杂发射极区域(3)的方阻为90-250ohm/sq。
6.根据权利要求1或5所述的一种N型选择性发射极双面电池其特征在于:重掺杂发射极区域(2)的方阻为10-70ohm/sq。
7.根据权利要求6所述的一种N型选择性发射极双面电池,其特征在于:重掺杂发射极区域(2)的正面钝化减反膜(4)为SiNx、SiO2、TiO2、 Al2O3、SiOxNy薄膜中的一种或者多种,并且其厚度为50-90nm。
8.根据权利要求7所述的一种N型选择性发射极双面电池,其特征在于:轻掺杂发射极区域(3)的背面钝化减反膜(7)为SiNx、SiO2、TiO2、 Al2O3、SiOxNy薄膜中的一种或者多种,并且其厚度为50-90nm。
9.加工1-8任意一项所述的N型选择性发射极双面电池的方法,其特征在于:N型基体的正面的轻掺杂发射极采用BBr3高温扩散,APCVD法沉积BSG退火,离子注入硼源退火工艺形成,丝网印刷含硼浆料高温退火其中一种制成。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于:N型基体的正面的重掺杂发射极采用丝网印刷阻挡浆料刻蚀工艺、通过BSG的激光掺杂、丝网印刷含硼浆料高温退火、离子注入工艺中的其中一种形成。
11.根据权利要求9或10所述的方法,其特征在于:N型基体的背面的磷掺杂背表面场区域采用高温扩散、APCVD沉积PSG退火、离子注入高温退火、丝网印刷磷浆高温退火工艺中的其中一种形成。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于:正面电极和背面电极采用丝网印刷、电镀、化学镀、喷墨打印、物理气相沉积金属层形成,其中金属为Ni、Cu、Ag、Ti、Pd、Cr数种的组合。
13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于:连接栅线和主栅线采用丝网印刷烧结、导电胶粘接或者金属线焊接而成;其中:
连接栅线和主栅线为Ag, 表面包覆In、Sn、Pb的Cu带或者含有金属颗粒的有机物。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泰州乐叶光伏科技有限公司,未经泰州乐叶光伏科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710090233.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于移动容器的装置
- 下一篇:一种紫外雪崩光电二极管探测器及其探测方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





