[发明专利]元件芯片的制造方法

说明书

一种元件芯片的制造方法，在对保持在保持片的基板进行等离子体切割时提高产品的成品率。元件芯片的制造方法包括：准备工序，准备将基板的第1主面粘接到保持片而保持在保持片的基板；载置工序，将保持了基板的保持片载置到设置在等离子体处理装置内的载置台；和等离子体切割工序，将基板的分割区域等离子体蚀刻到第1主面，将基板单片化为多个元件芯片。等离子体切割工序包括：第1等离子体蚀刻工序，在载置台与保持片之间供给冷却用气体，同时等离子体蚀刻分割区域的厚度的一部分；和第2等离子体蚀刻工序，在第1等离子体蚀刻工序之后，停止冷却用气体的供给，等离子体蚀刻分割区域的剩余部分。

技术领域

本公开涉及由保持在保持片的基板制造元件芯片的方法。

背景技术

作为切割具备由分割区域划定的多个元件区域的基板的方法，已知对该分割区域进行等离子体蚀刻，从而将基板分割为多个元件芯片的等离子体切割。近年来，电子设备变得小型化以及薄型化，电子设备中搭载的IC芯片等的厚度变小。与此同时，成为等离子体切割的对象的用于形成IC芯片等的基板的厚度也变小，基板变得容易挠曲。

专利文献1教导了下述内容：为了提高运输、拾取等中的基板或者元件芯片的操作性，在使基板保持在具备框架和覆盖其开口部的保持片的运输载体的状态下，载置到等离子体处理装置具备的载置台，进行等离子体切割。在使用保持片的情况下，若保持片变得高温，则会伸长或损伤等，从而单片化了的元件芯片脱落，或者从保持片拾取元件芯片变得困难。因此，载置台具备用于粘着保持片的静电吸附机构并且被冷却。通过使保持片静电吸附到被冷却了的载置台，从而等离子体处理中的保持片也被冷却。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2012/164857号小册子

将具备包含绝缘膜的电路层的基板保持在保持片的状态下进行等离子体切割的情况下，对埋设在载置台的高频电极施加较大的高频电力，施加较高的偏置电压的同时进行等离子体处理。据此，蚀刻速度变快，能够提高吞吐量。另一方面，若施加较高的偏置电压，则保持片容易变得高温。因此，根据提高吞吐量的观点，也需要在等离子体处理中使保持片高效地冷却。

然而，在处理对象不是保持于保持片的基板，而是具有足够的厚度的基板单体的情况下，为了提高基板的冷却效率，有时使基板静电吸附于载置台，同时从设置在载置台表面的气孔向基板与载置台之间供给氦气(He)等导热气体作为冷却用气体。此时，通过提高供给到基板与载置台之间的导热气体的压力，从而进一步提高基板的冷却效率。

但是，在使用保持片的情况下，有时难以提高供给到载置台与保持片之间的导热气体的压力。因为保持片对载置台的静电吸附力，比基板单体对载置台的静电吸附力弱。而且，若伴随等离子体蚀刻的进展而基板的分割区域的厚度变小，则基板难以保持平坦的形状。因此，通过经由保持片的来自载置台侧的导热气体的压力，基板变得容易以分割区域为起点而与保持片一起从载置台浮起。若基板从载置台浮起，则容易产生加工形状的异常、异常放电等问题。而且，因为保持片与载置台的粘着性降低，所以不能充分地冷却保持片。

此外，进行等离子体切割的情况下，存在静电吸附力容易变得不稳定的课题。一般静电吸附所使用的静电吸附用电极(以下称为ESC电极)，存在利用约翰逊-拉贝克(Johnsen-Rahbek)力的ESC电极和利用库仑(Coulomb)力的ESC电极。在等离子体切割中，基板需要经由保持片而吸附到载置台。如保持片为绝缘性的情况那样，在约翰逊-拉贝克力难以发挥作用的情况下，优选使用利用库仑力的ESC电极。

在利用库仑力的ESC电极的情况下，在基板以及保持片的表面所带电的电荷与设置在载置台内部的ESC电极之间产生静电吸附力。在等离子体切割中，基板在保持片上被单片化为元件芯片。此时，由于基板的膜厚分布、等离子体的分布等的影响，对于被单片化的时机，在基板面内产生偏差。因此，若在等离子体切割的过程开始基板的单片化，则基板表面所带电的电荷的面内分布变得不均匀，静电吸附力容易变得不稳定。