[发明专利]半导体装置、功率转换装置以及车辆

说明书

本发明涉及半导体装置、功率转换装置以及车辆。提供能够兼顾高速动作与电压变动抑制的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1晶体管，具备第1电极、第2电极以及第1控制电极，进行开关动作；第2晶体管，具有与第2电极电连接的第3电极、第4电极以及第2控制电极，进行模拟动作；以及第3晶体管，具有与第4电极电连接的第5电极、第6电极以及第3控制电极。

本申请以日本专利申请2016-112793(申请日：2016年6月6日)为基础，享受该申请的优先权。本申请通过参照该申请而包含该申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置、功率转换装置以及车辆。

背景技术

使用了MOSFFT(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：场效应晶体管)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极晶体管)等半导体装置的功率转换装置的开发正在盛行。

在上述功率转换装置中，有时在半导体装置的断开时或者接通时产生浪涌等电压变动。当产生较大的电压变动时，会产生半导体装置的破坏而成为问题。因而，要求抑制电压变动。但是，电压变动的抑制与半导体装置的高速动作有可能相反。即，由于高速动作使开关损耗降低，因此浪涌等电压变动抑制与开关损耗抑制一般相反。

发明内容

本发明要解决的课题在于，提供能够兼顾高速动作与电压变动抑制的半导体装置、功率转换装置以及车辆。

实施方式的半导体装置具备：第1晶体管，具有第1电极、第2电极以及第1控制电极，进行开关动作；第2晶体管，具有与上述第2电极电连接的第3电极、第4电极以及第2控制电极，进行模拟动作；以及第3晶体管，具有与上述第4电极电连接的第5电极、第6电极以及第3控制电极。

根据上述构成，提供能够兼顾高速动作与电压变动抑制的半导体装置、功率转换装置以及车辆。

附图说明

图1是第1实施方式的功率转换系统的模式图。

图2是第1实施方式的半导体装置的模式图。

图3是第1实施方式的半导体装置的作用效果的说明图。

图4是第2实施方式的半导体装置的模式图。

图5是第3实施方式的半导体装置的模式图。

图6A以及图6B是第3实施方式的半导体装置的作用效果的说明图。

图7是第4实施方式的半导体装置的模式图。

图8是第4实施方式的其他方式的半导体装置的模式图。

图9是第4实施方式的半导体装置的控制方法的模式图。

图10是第5实施方式的封装的模式图。

图11是第6实施方式的驱动装置的模式图。

图12是第7实施方式的车辆的模式图。

图13是第8实施方式的车辆的模式图。

图14是第9实施方式的升降机的模式图。

符号的说明