[发明专利]一种氮化镓功率器件及其制作方法

权利要求书

1.一种氮化镓功率器件，其特征在于，包括：

基底；

设置在所述基底上的多个功率器件单元；所述功率器件单元具有栅极、源极以及漏极；

所述栅极包括：平行且相对设置的第一子栅极以及第二子栅极；连接所述第一子栅极以及所述第二子栅极的曲面子栅极；所述第一子栅极具有第一端，所述第二子栅极具有与所述第一端相对设置的第二端；所述曲面子栅极分别与所述第一端以及所述第二端连接；

其中，所述漏极位于所述第一子栅极与所述第二子栅极之间；所述曲面子栅极的宽度大于所述第一子栅极以及所述第二子栅极的宽度。

2.根据权利要求1所述的氮化镓功率器件，其特征在于，所述源极包括：相对且平行设置的第一子源极以及第二子源极；

其中，所述第一子源极与所述第一子栅极平行；所述第一子源极具有第三端；所述第二子源极具有与所述第三端相对设置的第四端；所述第三端与所述第四端的连线与所述第一子栅极以及所述第二子栅极相交，且与所述曲面子栅极不相交。

3.根据权利要求1所述的氮化镓功率器件，其特征在于，所述曲面子栅极包括：第三子栅极以及与所述第三子栅极电接触的第四子栅极；

其中，所述第三子栅极、所述第一子栅极以及所述第二子栅极均由第一栅极金属层制备。

4.根据权利要求3所述的氮化镓功率器件，其特征在于，所述第四子栅极由所述第一栅极金属层制备；

或，所述第四子栅极由第二栅极金属层制备，所述第一栅极金属层与所述第二栅极金属层不同。

5.根据权利了要求3所述的氮化镓功率器件，其特征在于，所述第四子栅极位于所述第三子栅极朝向所述漏极的一侧；

或，所述第四子栅极位于所述第三子栅极背离所述漏极的一侧。

6.根据权利了要求1所述的氮化镓功率器件，其特征在于，所述曲面子栅极在由所述第一端至所述第二端的延伸路径上，中间部分的宽度最大，所述曲面子栅极的宽度由中间部分向两端逐渐减小。

7.根据权利要求1所述的氮化镓功率器件，其特征在于，所述基底包括：栅极区、源极区以及漏极区；

在垂直于所述基底的方向上，所述栅极区的厚度大于所述源极区以及所述漏极区的厚度；所述栅极区具有AlGaN隔离层；

所述栅极设置在所述栅极区的表面，所述源极设置在所述源极区的表面，所述漏极设置在所述漏极区的表面；

所述源极通过源极场板以及设置在所述栅极区表面的源极欧姆金属块与所述AlGaN隔离层接触，所述漏极通过漏极场板以及设置在所述栅极区表面的漏极欧姆金属块与所述AlGaN隔离层接触。

8.根据权利要求7所述的氮化镓功率器件，其特征在于，所述基底的表面具有第一介质层；所述源极欧姆金属块以及所述漏极欧姆金属块均位于所述第一介质层与所述基底之间；

所述第一介质层在所述源极区具有用于设置所述源极的源极开口，在所述漏极区具有用于设置所述漏极的开口，在所述栅极区具有用于设置所述栅极的栅极开口，在对应所述源极欧姆金属块的位置具有用于与所述源极场板接触的第一开口，在对应所述漏极欧姆金属块的位置具有用于与所述漏极场板接触的第二开口。

9.根据权利要求8所述的氮化镓功率器件，其特在于，所述源极场板与所述源极欧姆金属块之间还具有第一导体块；

所述漏极场板与所述漏极欧姆金属块之间还具有第二导体块；

其中，所述第一导体块、所述的第二导体块以及所述栅极均由第一栅极金属层制备。

10.根据权利要求1-9任一项所述的氮化镓功率器件，其特征在于，所述第一子栅极以及所述第二子栅极的宽度相同；

所述曲面子栅极的宽度大于或等于所述第一子栅极的宽度的1.1倍，且小于或等于所述第一子栅极的宽度的3倍。