[发明专利]一种阵列基板、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201710082722.X | 申请日: | 2017-02-15 |
公开(公告)号: | CN106783892B | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 严允晟;刘立伟;林允植 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
本发明实施例提供一种阵列基板、显示面板及显示装置,显示技术领域,能够解决该阵列基板在用于显示时,出现明暗相间的云纹现象。该阵列基板,包括矩阵形式排列的亚像素、以及多条数据线,同一列的亚像素由同一条数据线驱动,任意相邻两列亚像素组成一亚像素组,针对同一个亚像素组,第一亚像素列中每个亚像素对应一数据线段,每一亚像素对应的数据线段位于该亚像素靠近或远离第二亚像素列的一侧,形成第一数据线的各数据线段中至少存在一个数据线段与其余数据线段分别分布在该第一亚像素列不同侧;同一个数据线组中的两条数据线沿该亚像素组中两列亚像素的缝隙对称;沿所述行方向上,相邻亚像素之间设置有数据线段的缝隙宽度大于未设置有数据线段缝隙宽度。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
现有的显示装置中一般包括多条横纵交叉的栅线和数据线,并界定出多个以矩阵形式排列的亚像素,即,每相邻行的亚像素之间的位置设置有栅线,每相邻列的亚像素之间的位置设置有数据线。
在此基础上,现有技术中,为了提高开口率,如图1所示,在间隔的相邻列的亚像素之间的位置设置两条数据线,该两条数据线分别与相邻的亚像素连接,并且在设有数据线的相邻列的亚像素之间具有较宽的间隙,且该较宽的间隙对应的位置设置有较宽的黑矩阵,以对数据线起到遮挡作用,同时起到防混色的作用;而对于未设有数据线的相邻列的亚像素之间具有较窄的间隙,同样在该较窄的间隙对应的位置设置有较窄的黑矩阵,起到防混色的作用。
然而,对于上述设置结构,以普通的红色亚像素、绿色亚像素、蓝色亚像素为例,由于在相邻列的亚像素之间的位置间隔设置数据线,从而使得相邻的六列亚像素构成亚像素的最小重复单元,其中,图1中未示出栅线对应位置的黑矩阵。对于图1中同行的亚像素,相邻的六列亚像素:红色亚像素(R)、绿色亚像素(G)、蓝色亚像素(B)、红色亚像素(R’)、绿色亚像素(G’)、蓝色亚像素(B’)构成一个分布周期,在该分布周期内,相邻的红色亚像素(R)、绿色亚像素(G)和蓝色亚像素(B)区域A1的宽度为L1,相邻的红色亚像素(R’)、绿色亚像素(G’)、蓝色亚像素(B’)区域A2的宽度为L2。
从图1中可以看出,区域A1中具有两组相邻的亚像素之间设置有数据线,一组相邻的亚像素之间未设置数据线;区域A2中具有一组相邻的亚像素之间设置有数据线,两组相邻的亚像素之间未设置数据线,从而使得区域A1的宽度为L1大于区域A2的宽度为L2,进而使得区域A1的面积大于区域A2的面积,而区域A1和区域A2中的发光面积相同,这样一来,导致了区域A1相对于区域A2的较暗,进而导致该显示装置在显示的过程中出现明暗相间的云纹现象(Mura)。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板、显示面板及显示装置,能够解决该阵列基板在用于显示时,出现明暗相间的云纹现象(Mura)。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本发明实施例一方面提供一种阵列基板,包括矩阵形式排列的亚像素、以及多条数据线,同一列的亚像素由同一条数据线驱动,任意相邻两列亚像素组成一亚像素组,每个亚像素组由第一亚像素列和第二亚像素列构成;针对同一个亚像素组,所述第一亚像素列中每个亚像素对应一数据线段,每一亚像素对应的所述数据线段位于该亚像素靠近所述第二亚像素列的一侧、或位于该亚像素远离所述第二亚像素列的一侧;与所述第一亚像素列中每个亚像素一一对应的所述数据线段依次相接形成驱动该第一亚像素列的第一数据线,形成所述第一数据线的各数据线段中至少存在一个数据线段与其余数据线段分别分布在该第一亚像素列不同侧;驱动每个亚像素组中第一亚像素列的第一数据线和驱动该亚像素组中第二亚像素列的第二数据线构成一数据线组,同一个数据线组中的两条数据线沿该亚像素组中两列亚像素的缝隙对称;沿所述行方向上,相邻亚像素之间设置有所述数据线段的缝隙宽度大于未设置有所述数据线段缝隙宽度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的