[发明专利]高阻层、触控装置及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示器件技术领域，特别是涉及一种高阻层、触控装置及其制备方法。

背景技术

在内嵌式触摸屏的抗干扰高阻技术研究中存在一对长期困扰研究者的矛盾体，即：高阻层的阻值越大，防静电效果越不明显；高阻层的阻值越小，防静电效果越好；然而高阻层的阻值太小，对内嵌式触摸屏造成干扰越大，进而影响触摸的效果。如此得到既能防静电又能抗干扰的触摸屏十分困难。目前的解决方式是在触控显示层外表面上的偏光片上通过涂布技术涂覆一层防静电抗干扰的透明功能膜，然而该技术目前处于垄断地位，使用该加工方法成本高，效果有待提高。目前国内相关技术属于空白，因此有必要提供一种新的既能防静电又能抗干扰的触控装置及其制备方法。

发明内容

基于此，有必要提供一种新的既能防静电又能抗干扰的高阻层、触控装置及其制备方法。

一种高阻层，所述高阻层的材料为三氧化二锑和氧化锡的混合物，所述三氧化二锑和所述氧化锡的质量比为30～60:40～70。

本申请通过偶尔试验研究发现，高阻层采用上述新材料，其防静电效果好，抗干扰性能强。用于触控装置具有较好的防静电效果，且其触控灵敏度高。此外高阻层的透光率好，透射率≥99％，用于触控装置具有较好的显示效果。具体的，该高阻层的面电阻为1×10⁷～1×10⁸Ω/cm²。触控装置的触控响应时间为0.15～0.25s。

在其中一个实施例中，所述三氧化二锑和所述氧化锡的质量比为38～45:55～62。

上述高阻层的制备方法，包括如下步骤：

提供基板；在所述基板上溅射形成所述高阻层；所述溅射的靶材为三氧化二锑和氧化锡的混合物。

上述高阻层的制备方法，采用上述靶材溅射得到上述新材料的高阻层，其防静电效果好，抗干扰性能强。用于触控装置具有较好的防静电效果，且其触控灵敏度高。此外高阻层的透光率好，透射率≥99％，用于触控装置具有较好的显示效果。

在其中一个实施例中，所述在所述基板上溅射形成所述高阻层的步骤为：通过低温等离子溅射的方式将靶材溅射到所述基板的表面；所述低温等离子溅射的温度为35～45℃，所述低温等离子溅射的真空度为0.2～0.3Pa，所述低温等离子溅射的溅射功率为1.2～1.5KW。

在其中一个实施例中，所述低温等离子溅射的溅射气体包括氧气和氩气，其中所述氧气的流量为24～30sccm，所述氩气的流量为1150～1180sccm。

一种触控装置，包括触控显示基板、后偏光片、前偏光片、盖板、背光模组和上述高阻层；所述触控显示基板的一侧面依次设有所述高阻层、所述前偏光片和所述盖板，所述触控显示基板的另一侧面依次设有所述后偏光片和所述背光模组。

上述触控装置，采用上述新材料的高阻层，该高阻层的防静电效果好，抗干扰性能强，使得触控装置具有较好的防静电效果，且其触控灵敏度高。此外高阻层的透光率好，透射率≥99％，用于触控装置具有较好的显示效果。具体的，该高阻层的面电阻为1×10⁷～1×10⁸Ω/cm²。触控装置的触控响应时间为0.15～0.25s。

在其中一个实施例中，所述高阻层的厚度为20～100nm。

在其中一个实施例中，所述触控显示基板包括两层导电基板以及封装在所述两层导电基板之间的触控显示模块。

一种触控装置的制备方法，包括以下步骤：

提供触控显示基板；

在所述触控显示基板的一侧面溅射形成上述高阻层，所述溅射的靶材为三氧化二锑和氧化锡的混合物；在所述高阻层上依次形成前偏光片和盖板，在所述触控显示基板的另一侧面依次形成后偏光片和背光模组，得到所述触控装置。

上述触控装置，采用上述新材料的高阻层，该高阻层的防静电效果好，抗干扰性能强。得到的触控装置具有较好的防静电效果，且其触控灵敏度高。此外高阻层的透光率好，透射率≥99％，用于触控装置具有较好的显示效果。具体的，该高阻层的面电阻为1×10⁷～1×10⁸Ω/cm²。触控装置的触控响应时间为0.15～0.25s。

在其中一个实施例中，所述触控显示基板包括两层导电基板以及封装在所述两层导电基板之间的触控显示模块，所述两层导电基板靠近边缘的位置通过两种不同粘度的UV胶粘接，同一位置先通过粘度较大的UV胶粘接，再通过粘度较小的UV胶粘接。

附图说明