[发明专利]高阻层、触控装置及其制备方法

权利要求书

1.一种高阻层，其特征在于，所述高阻层的材料为三氧化二锑和氧化锡的混合物，所述三氧化二锑和所述氧化锡的质量比为30～60:40～70。

2.如权利要求1所述的高阻层，其特征在于，所述三氧化二锑和所述氧化锡的质量比为38～45:55～62。

3.如权利要求1或2所述的高阻层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基板；在所述基板上溅射形成所述高阻层；所述溅射的靶材为三氧化二锑和氧化锡的混合物。

4.如权利要求3所述的高阻层的制备方法，其特征在于，所述在所述基板上溅射形成所述高阻层的步骤为：通过低温等离子溅射的方式将靶材溅射到所述基板的表面；所述低温等离子溅射的温度为35～45℃，所述低温等离子溅射的真空度为0.2～0.3Pa，所述低温等离子溅射的溅射功率为1.2～1.5KW。

5.如权利要求4所述的高阻层的制备方法，其特征在于，所述低温等离子溅射的溅射气体包括氧气和氩气，其中所述氧气的流量为24～30sccm，所述氩气的流量为1150～1180sccm。

6.一种触控装置，其特征在于，包括触控显示基板、后偏光片、前偏光片、盖板、背光模组和权利要求1～2任一项所述的高阻层；所述触控显示基板的一侧面依次设有所述高阻层、所述前偏光片和所述盖板，所述触控显示基板的另一侧面依次设有所述后偏光片和所述背光模组。

7.如权利要求6所述的触控装置，其特征在于，所述高阻层的厚度为20～100nm。

8.如权利要求6所述的触控装置，其特征在于，所述触控显示基板包括两层导电基板以及封装在所述两层导电基板之间的触控显示模块。

9.一种触控装置的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供触控显示基板；

在所述触控显示基板的一侧面溅射形成如权利要求1～2任一项所述的高阻层，所述溅射的靶材为三氧化二锑和氧化锡的混合物；在所述高阻层上依次形成前偏光片和盖板，在所述触控显示基板的另一侧面依次形成后偏光片和背光模组，得到所述触控装置。

10.如权利要求9所述的触控装置的制备方法，其特征在于，所述触控显示基板包括两层导电基板以及封装在所述两层导电基板之间的触控显示模块，所述两层导电基板靠近边缘的位置通过两种不同粘度的UV胶粘接，同一位置先通过粘度较大的UV胶粘接，再通过粘度较小的UV胶粘接。