[发明专利]一种基于托盘的晶圆定位方法及系统有效
| 申请号: | 201710069259.5 | 申请日: | 2017-02-08 |
| 公开(公告)号: | CN107946227B | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
| 发明(设计)人: | 马法君;徐春阳;邢志刚 | 申请(专利权)人: | 中晟光电设备(上海)股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆;胡彬 |
| 地址: | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 托盘 定位 方法 系统 | ||
本发明涉及半导体制作工艺技术领域,具体涉及一种基于托盘的晶圆定位方法及系统,其中,一种基于托盘的晶圆定位方法,包括:获取预制的托盘位置数据及容纳所述晶圆的凹槽位置数据;根据所述托盘位置数据和所述凹槽位置数据形成标准数据组;获取匹配所述托盘及所述晶圆当前状态的检测信号,并形成一检测数据组;根据所述检测数据组结合所述标准数据组对所述检测数据组做卷积处理并形成卷积处理图;根据第一预定标识数据、和第二预定标识数据于所述卷积处理图中获取一卷积极值;根据所述卷积极值形成匹配所述晶圆位置的定位数据,并根据所述定位数据获取所述晶圆的位置数据。
技术领域
本发明涉及半导体制作工艺技术领域,具体涉及一种基于托盘的晶圆定位方法及系统。
背景技术
半导体制造过程中,通常需要将晶圆放置于预定的托盘位置内,驱动装置驱动托盘(晶圆)高速旋转,并于晶圆表面沉积或外延生长出薄膜结构;因晶圆在制作过程中处于高速旋转状态,如何判定晶圆的具体位置,实现生长过程的实时监测和控制对半导体制造的研发效率和生产质量控制起着至关重要的作用。
现有技术中,通常如图1所示的晶圆位置的测量设备结构示意图,具体地,将设置有容纳晶圆的凹槽3’的托盘2’放置于驱动装置1’上端,驱动装置1’驱动托盘2’旋转,测量装置4’对托盘2’或晶圆投射检测光线,并获取托2’盘或晶圆表面的发射率、温度、翘曲度等采集数据,根据采集数据对晶圆予以定位,其采用的定位方法主要由以下两种:
第一种、相对位置定位法,通过计算驱动装置与测量装置之间的相对位置数据,根据相对位置数据确定采集数据与托盘或晶圆之间的对应关系;但此种方法存在一缺陷,即此种定位方法仅适用于托盘刚性连接于驱动装置的生产设备,而对于非刚性连接的托盘采用相对位置定位法则无法精确定位、或者是无法进行定位;
第二种、标记定位法,在托盘上设置供定位参考的辅助定位标记,此种方法虽然可应用于非刚性连接托盘的制造设备,但是托盘上的定位标记本身也会影响测量的准确性,例如在一些特定的测量工艺中或者测量条件中,定位标记无法准确识别,故而影响测量的准确性,另外于托盘上制作定位标记,同时也缩短了托盘的使用寿命。
发明内容
针对现有技术中的不足之处,本发明提供检测准确率高、检测使用范围广泛的一种基于托盘的晶圆定位方法及系统,具体地,
本发明提供一种基于托盘的晶圆定位方法,其中,包括:
获取预制的托盘位置数据及容纳所述晶圆的凹槽位置数据;根据所述托盘位置数据和所述凹槽位置数据形成标准数据组;
获取匹配所述托盘及所述晶圆当前状态的检测信号,并形成一检测数据组;
根据所述检测数据组结合所述标准数据组对所述检测数据组做卷积处理并形成卷积处理图;
根据第一预定标识数据、和第二预定标识数据于所述卷积处理图中获取一卷积极值;
根据所述卷积极值形成匹配所述晶圆位置的定位数据,并根据所述定位数据获取所述晶圆的位置数据。
优选地,上述的基于托盘的晶圆定位方法,其中,获取匹配所述托盘及所述晶圆当前状态的检测信号,并形成一检测数据组包括,
根据所述检测信号计算形成一参考数据,根据所述参考数据形成一预估采集点、以及预估采集点总量;
获取每个预估采集点当前的检测数据;
根据每个预估采集点当前的所述检测数据结合预定算法计算每个预估采集点的转速,并根据每个预估采集点这的转速形成一转速曲线;
于所述转速曲线中获取转速曲线极值,根据所述转速曲线极值形成实际采集点、实际采集点总量;
获取转速曲线最大值、转速曲线最小值,根据转速曲线最大值、转速曲线最小值计算形成第一中心点、第二中心点;
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