[发明专利]一种基于托盘的晶圆定位方法及系统有效
| 申请号: | 201710069259.5 | 申请日: | 2017-02-08 |
| 公开(公告)号: | CN107946227B | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
| 发明(设计)人: | 马法君;徐春阳;邢志刚 | 申请(专利权)人: | 中晟光电设备(上海)股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆;胡彬 |
| 地址: | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 托盘 定位 方法 系统 | ||
1.一种基于托盘的晶圆定位方法,其特征在于,包括:
获取预制的托盘位置数据及容纳所述晶圆的凹槽位置数据;根据所述托盘位置数据和所述凹槽位置数据形成标准数据组;
获取匹配所述托盘及所述晶圆当前状态的检测信号,根据所述检测信号计算形成一参考数据,根据所述参考数据形成一预估采集点、以及预估采集点总量;
获取每个预估采集点当前的检测数据;
根据每个预估采集点当前的所述检测数据结合预定算法计算每个预估采集点的转速,并根据每个预估采集点这的转速形成一转速曲线;
于所述转速曲线中读取转速曲线极值,根据所述转速曲线极值形成实际采集点、实际采集点总量;
获取转速曲线最大值、转速曲线最小值,根据转速曲线最大值、转速曲线最小值计算形成第一中心点、第二中心点;
根据所述第一中心点、第二中心点对所述转速曲线做分割聚类处理形成第一聚类图、第二聚类图;
对所述第一聚类图、所述第二聚类图做二值化处理,根据二值化处理后的所述第一聚类图、所述第二聚类图形成所述检测数据组;
根据所述检测数据组结合所述标准数据组对所述检测数据组做卷积处理并形成卷积处理图;
根据第一预定标识数据和第二预定标识数据于所述卷积处理图中获取一卷积极值;其中,所述第一预定标识数据为所述托盘的旋转对称角度;所述第二预定标识数据为所述的托盘的漂移角度;
根据所述卷积极值形成匹配所述晶圆位置的定位数据,并根据所述定位数据获取所述晶圆的位置数据;具体包括:根据所述卷积极值于所述标准数据组中读取与所述卷积极值匹配的标准数据;
根据所述标准数据形成匹配所述晶圆位置的定位数据。
2.根据权利要求1所述的基于托盘的晶圆定位方法,其特征在于,根据所述检测信号计算形成一参考数据,根据所述参考数据形成一预估采集点、以及预估采集点总量,其中:所述检测信号至少包括采样频率、所述托盘当前的转速;包括,
根据所述采样频率、所述托盘当前的转速结合第一预定算法形成所述参考数据;其中,所述第一预定算法为:
S:所述参考数据;
Sa:所述采样频率;
ro:所述托盘当前的转速;
根据所述参考数据按照第二预定算法形成一预估采集点、以及预估采集点总量;其中所述第二预定算法为:
M=a×S;
M:为所述预估采集点总量;
a:计算系数,a∈(0.48,2.2)。
3.根据权利要求2所述的基于托盘的晶圆定位方法,其特征在于,根据每个预估采集点当前的所述检测数据结合第三预定算法计算每个预估采集点的转速,根据每个预估采集点这的转速形成一转速曲线包括:
所述第三预定算法为:
其中:i:为自然数,i∈[1,M];
M:为所述预估采集点的总量;
s(i):第i个预估采集点的检测数据;
s(i+M):第i+M个预估采集点的检测数据;
r(M):第M个预估采集点的转速。
4.根据权利要求2所述的基于托盘的晶圆定位方法,其特征在于,根据每个预估采集点当前的所述检测数据结合第三预定算法计算每个预估采集点的转速,根据每个预估采集点这的转速形成一转速曲线包括:
所述第三预定算法为:
其中:i:为自然数,i∈[1,M];
M:为所述预估采集点的总量;
s(i):第i个预估采集点的检测数据;
s(i+M):第i+M个预估采集点的检测数据;
r(M):第M个预估采集点的转速。
5.根据权利要求1所述的基于托盘的晶圆定位方法,其特征在于,对所述第一聚类图、所述第二聚类图做二值化处理,根据二值化处理后的所述第一聚类图、所述第二聚类图形成所述检测数据组,具体包括:
根据所述第一中心点形成的第一聚类图标记为1,根据所述第二中心点形成的第二聚类图标记为0;并根据所述第一聚类图、第二聚类图形成所述检测数据组。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中晟光电设备(上海)股份有限公司,未经中晟光电设备(上海)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710069259.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





