[发明专利]半导体堆叠结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体堆叠结构，其特征在于，包含：

基板，具有至少一个第一导通孔，所述第一导通孔形成于所述基板的边缘；以及

至少一个导电体，位于所述第一导通孔，所述导电体以及所述第一导通孔中的至少一个暴露于所述基板的所述边缘。

2.如权利要求1所述的半导体堆叠结构，其特征在于，所述导电体实质上与所述基板的所述边缘对齐。

3.如权利要求1所述的半导体堆叠结构，其特征在于，还包含：

钝化层，设置于所述基板并具有至少一个第二导通孔，所述第二导通孔形成于所述钝化层的边缘并与所述第一导通孔连通，其中所述导电体进一步位于所述第二导通孔。

4.如权利要求3所述的半导体堆叠结构，其特征在于，还包含：

至少一个金属垫，设置于所述钝化层，且所述金属垫接触所述导电体。

5.如权利要求4所述的半导体堆叠结构，其特征在于，还包含：

凸块，设置于所述金属垫。

6.如权利要求3所述的半导体堆叠结构，其特征在于，还包含：

至少一个金属垫，设置于所述钝化层且远离所述钝化层的所述边缘，所述金属垫与所述导电体电性连接。

7.如权利要求6所述的半导体堆叠结构，其特征在于，还包含：

第一重分布层，设置于所述钝化层，其中所述金属垫通过所述第一重分布层电性连接所述导电体。

8.如权利要求7所述的半导体堆叠结构，其特征在于，还包含：

凸块，设置于所述金属垫，所述凸块覆盖所述第一重分布层的至少一部分。

9.如权利要求6所述的半导体堆叠结构，其特征在于，还包含：

金属结构，嵌入于所述钝化层，其中所述金属垫通过所述金属结构与所述导电体电性连接。

10.如权利要求3所述的半导体堆叠结构，其特征在于，还包含：

第二重分布层，设置于所述基板远离所述钝化层的表面。

11.如权利要求1所述的半导体堆叠结构，其特征在于，还包含：

介电层，至少部分围绕所述导电体。

12.一种半导体堆叠结构制造方法，其特征在于，包含：

在基板形成第一导通孔；

在所述第一导通孔形成导电体；以及

蚀刻所述基板以移除所述基板的至少一部分以形成边缘，所述基板的所述边缘使所述基板暴露所述导电体以及所述第一导通孔中的至少一个。

13.如权利要求12所述的半导体堆叠结构制造方法，其特征在于，所述蚀刻包含：

蚀刻所述导电体，使得所述导电体实质上与所述基板的所述边缘对齐。

14.如权利要求12所述的半导体堆叠结构制造方法，其特征在于，还包含：

在设置于所述基板的钝化层形成第二导通孔，所述第二导通孔连通所述第一导通孔；

在所述第二导通孔形成所述导电体；以及

蚀刻所述钝化层以移除所述钝化层的至少一部分以形成边缘，所述钝化层的所述边缘使所述钝化层暴露所述导电体以及所述第二导通孔中的至少一个。