[发明专利]集成电路器件在审
| 申请号: | 201710064474.6 | 申请日: | 2017-02-04 |
| 公开(公告)号: | CN107154412A | 公开(公告)日: | 2017-09-12 |
| 发明(设计)人: | 黄任锋;简荣亮 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,李伟 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 集成电路 器件 | ||
技术领域
本发明的实施例涉及集成电路器件。
背景技术
图像传感器器件包括用于检测光和记录检测的光的强度的像素阵列。例如,像素阵列通过积聚电荷响应于光。光的强度越高,像素阵列中积聚的电荷越高。积聚的电荷用于提供用于合适的应用中(诸如,数码相机)的图像信息。一些图像传感器器件使用相位差检测像素进行自动对焦(AF)。相位差通过处理图像感测像素之中的焦点检测像素工作。焦点检测像素的信号输出用于检测由不同焦点检测像素产生的信号之间的相位差。检测的相位差可以用于进行AF。
发明内容
本发明的实施例提供了一种集成电路器件,包括:焦点检测像素,包括位于衬底中的感光单元和非感光单元;以及透镜,设置在所述焦点检测像素上方,其中,所述感光单元和所述非感光单元相对于所述透镜的光轴彼此相对设置,并且穿过所述透镜的光束同时入射至所述感光单元和所述非感光单元。
本发明的另一实施例提供了一种集成电路器件,包括:多个图像感测像素;焦点检测像素对,设置在所述图像感测像素之间并且包括第一焦点检测像素和第二焦点检测像素,其中,所述第一焦点检测像素包括第一侧处的第一感光单元和第二侧处的第一非感光单元,并且所述第二焦点检测像素包括第二侧处的第二感光单元和第一侧处的第二非感光单元;以及透镜,分别设置在所述图像感测像素、所述第一焦点检测像素和所述第二焦点检测像素上方,其中,所述第一侧和所述第二侧相对于所述透镜的光轴彼此相对,穿过位于所述第一焦点检测像素上方的所述透镜的光束同时入射至所述第一感光单元和所述第一非感光单元,并且穿过位于所述第二焦点检测像素上方的所述透镜的光束同时入射至所述第二感光单元和所述第二非感光单元。
本发明的又一实施例提供了一种集成电路器件,包括:多个图像感测像素;焦点检测像素对,包括第一焦点检测像素和第二焦点检测像素,其中,所述第一焦点检测像素包括第一感光单元和第一非感光单元,并且所述第二焦点检测像素包括第二感光单元和第二非感光单元;以及透镜,分别设置在所述图像感测像素、所述第一焦点检测像素和所述第二焦点检测像素上方,其中,位于所述第一焦点检测像素上方的所述透镜的尺寸和位于所述第二焦点检测像素上方的所述透镜的尺寸分别大于位于所述图像感测像素上方的所述透镜的尺寸。
附图说明
当结合附图进行阅读时,从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出,根据工业中的标准实践,各个部件未按比例绘制。实际上,为了清楚的讨论,各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
图1是根据一些实施例的示出集成电路器件的示意图。
图2是根据一些实施例的示出集成电路器件的示意图。
图3是根据一些实施例的示出集成电路器件的示意图。
图4是根据一些实施例的示出集成电路器件的示意图。
图5是根据一些实施例的示出集成电路器件的示意图。
具体实施方式
以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然,这些仅仅是实例,而不旨在限制本发明。例如,以下描述中,在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例,并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件,从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实例。此外,本发明可在各个实施例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的,并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
而且,为便于描述,在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空间相对术语,以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)原件或部件的关系。除了图中所示的方位外,空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上),而本文使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。
图1是根据一些实施例的示出集成电路器件的示意图。
参照图1,在一些实施例中,集成电路器件100包括多个图像感测像素110、至少一个焦点检测像素对120、滤色镜150和透镜160。该附图以简化的方式示出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





