[发明专利]一种使用谐振法测试超高频RFID芯片带封装阻抗的方法

说明书

本发明公开了一种使用谐振法测试超高频RFID芯片阻抗的方法，包括：制作第一线圈、第二线圈，两种线圈可以先后封装同样的超高频RFID芯片；制作网络分析仪用第三线圈；利用线圈互感，测试两个带芯片的线圈谐振值；利用数据处理，得到超高频RFID芯片带封装阻抗的实部和虚部。相比起采用直接测试的方法，本发明的方法不引入接触误差、并且避免了网络分析仪测试非标准阻抗不准确的问题，本发明广泛适用于使用谐振法测试超高频RFID芯片带封装阻抗的方法中。

技术领域

本发明属于电子技术领域，涉及一种测试超高频RFID芯片带封装阻抗的方法，尤其涉及一种使用谐振法测试超高频RFID芯片带封装阻抗的方法。

背景技术

超高频RFID技术可应用于物流、交通、防伪、服装等各种行业。相比于传统的高频技术，超高频RFID技术具有读距离远，防碰撞功能强的优点。

为了发挥RFID技术读距离远的优点，通常超高频天线的阻抗需要设计为芯片阻抗的共轭。尽管芯片厂商给出了芯片的阻抗值，但是因为超高频的特点，封装对芯片的阻抗值影响很大。各种不同的封装形式，甚至同一种封装形式不同的生产厂商，都会导致带封装芯片的阻抗不同，不等于芯片厂商提供的设计参考值。所以，需要找到测试带封装芯片阻抗的方法。

现有技术中，通常采用射频端口连接到带封装芯片两端的形式测试阻抗，但是这样做会导致至少两个问题。首先，芯片的封装通常尺寸非常小(面积1mm*1mm以内)，连接线通常尺寸会相当大(1cm*1cm级别)，这样会导致连接线的影响比封装寄生的影响还大，导致测试失败。其次，测试超高频阻抗的设备，比如网络分析仪，通常只适合测试50欧姆阻抗，偏离50欧姆的阻抗测试不准确，而超高频RFID芯片的阻抗值通常为20+j200欧姆左右的复阻抗，导致测试失败。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明特提出一种使用谐振法测试超高频RFID芯片带封装阻抗的方法，它不仅能解决现有技术中存在的问题，还具有其它许多有益效果。

为达到上述目的，本发明采取了以下的技术方案，一种使用谐振法测试超高频RFID芯片带封装阻抗的方法，包含下述步骤：

第一步，制作第一线圈、第二线圈，所述第一线圈、第二线圈可以分别封装同样的超高频

RFID芯片；

第二步，制作第三线圈，所述第三线圈为高自身谐振值线圈，所述第三线圈电连接网络分

析仪；

第三步，分别利用封装同样的超高频RFID芯片的第一线圈和第二线圈和所述第三线圈互

感，测试两个带超高频RFID芯片的线圈谐振值；

第四步，利用数据处理，可以得到超高频RFID芯片带封装阻抗的实部和虚部。

上述第一线圈的电感值是L₁，所述第二线圈的电感值是L₂，且满足：L₁L₂。

上述的第三线圈的电感值是L₃的，且满足：L₁*5L₃L₂/5。

上述的第三线圈的自身谐振值为ω₃＝2πf₃，且满足：f₃1.2GHz。

上述的第三线圈接所述网络分析仪的一个端口，所述网络分析仪设置为测试s参数绝对值的模式；所述封装同样的超高频RFID芯片的第一线圈、第二线圈先后分别靠近所述第三线圈互感时，所述网络分析仪的s参数绝对值随之发生改变。

以下对本发明的原理进行说明：