[发明专利]一种半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 201710058601.1 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN108346573B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;宋以斌;王士京 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供衬底；
通过定向自组装方法，在所述衬底上形成若干交替排布的第一图案和第二图案；
对所述第一图案进行硬化处理，以提高所述第一图案的硬度；
去除所述第二图案；
对所述第一图案进行硬化处理和去除所述第二图案的步骤包括：
先去除所述第二图案的顶层，以露出所述第一图案的顶层部分；
对露出的所述第一图案进行硬化处理；
重复执行上述去除所述第二图案的顶层，以及对露出的所述第一图案进行硬化处理的步骤，直至所述第二图案被去除、所述第一图案全部硬化。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使用连续渗透合成方法对所述第一图案进行硬化处理。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述连续渗透合成方法中，使用含铝的材料对所述第一图案进行所述硬化处理，以形成含铝的所述第一图案。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述含铝的材料包括三甲基铝。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底包括依次堆叠的半导体衬底、旋涂的碳材料以及自旋涂布式玻璃。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在去除所述第二图案以及所述硬化处理之后所述方法还进一步包括对所述第一图案进行后硬化处理。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，使用HBr基等离子体对所述第一图案进行所述后硬化处理。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使用气体团簇离子束蚀刻方法或者带状等离子束蚀刻方法去除所述第二图案。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述定向自组装方法包括：
在所述衬底上方涂布包括嵌段共聚物的聚合物薄膜；
将聚合物薄膜中的嵌段共聚物进行定向自组装，以形成交替排布的第一域和第二域，分别作为所述第一图案和所述第二图案。
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