[发明专利]压力传感器及其制造方法

说明书

本发明提供压力传感器及其制造方法。压力传感器包括一薄膜晶体管阵列以及覆盖所述薄膜晶体管阵列的一感压层。所述感压层包括在相同平面排列的一维材料或二维材料以及数层绝缘层，所述绝缘层与一维或二维材料交替堆叠，因此能够有效提高压力解析度。

技术领域

本发明涉及一种压力感测技术，且特别涉及一种压力传感器及其制造方法。

背景技术

在现有技术中，压力传感器中的感压层大多是在树脂中混合导电粒子的方式形成，其是通过在受压时，厚度变薄，输出电阻降低，而可以作为感压层使用。但由于导电粒子的导电特性没有方向性，所以除了受压的区域会产生电阻变化之外，未受压的区域也容易受到影响，导致压力解析度变差。因此，如何改善压力传感器的前述问题，使其能提供优异解析度乃当前重要研发的课题。

发明内容

本发明提供一种压力传感器，能够有效提高压力解析度。

本发明另提供一种压力传感器，也能够有效提高压力解析度。

本发明又提供一种压力传感器的制造方法，能制作出压力解析度高的压力传感器。

本发明的一种压力传感器包括一薄膜晶体管阵列以及覆盖所述薄膜晶体管阵列的一感压层。其中，所述感压层包括在相同平面排列的数个一维材料以及数层绝缘层，所述一维材料和所述绝缘层交替堆叠。

本发明的另一种压力传感器包括一薄膜晶体管阵列以及覆盖所述薄膜晶体管阵列的一感压层。其中，所述感压层包括数个二维材料以及数层绝缘层，所述二维材料和所述绝缘层交替堆叠。

在本发明的上述实施例中，所述感压层可为感应电阻式。

在本发明的一实施例中，所述一维材料的直径可为5nm-100nm。

在本发明的一实施例中，所述一维材料的长径比可大于100。

在本发明的一实施例中，所述一维材料可包括金属纳米线、纳米碳管或金属氧化物半导体。

在本发明的一实施例中，所述金属纳米线的金属可包括金、银或铜。

在本发明的一实施例中，所述金属氧化物半导体可包括氧化锌、氧化钛、氧化钨、氧化钼、氧化钒、氧化铜、氧化镍、氧化钴、氧化铁或氧化锡。

在本发明的另一实施例中，所述二维材料可包括石墨烯氧化物或二硫化钼。

本发明的压力传感器的制造方法，包括形成一薄膜晶体管阵列以及在所述薄膜晶体管阵列上利用3D打印形成一感压层。所述感压层包括交替堆叠的数层绝缘层以及于相同平面排列的数个一维材料或数个二维材料。

基于上述，本发明的压力传感器通过在感压层中设置交替堆叠的绝缘层以及于相同平面排列的一维材料或二维材料，使得感压层内的导电结构成为具有方向性的导电层，来提高压力传感器的压力解析度。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所示附图作详细说明如下。

附图说明

图1是依照本发明的一实施例的一种压力传感器的立体示意图；

图2A是图1的压力传感器，在未受压情况下的剖面示意图；

图2B是图2A的压力传感器，在受压情况下的剖面示意图；

图3是依照本发明的另一实施例的一种压力传感器的制造流程步骤图。

附图标记说明：

100：压力传感器；

102：薄膜晶体管阵列；

104：感压层；

206：一维材料；