[发明专利]具有立体超结的金属氧化半导体场效功率组件及制造方法在审
| 申请号： | 201710048573.5 | 申请日： | 2017-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN108336140A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 熊志文;叶人豪;凃宜融;曾婉雯 | 申请（专利权）人： | 通嘉科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属氧化半导体 功率组件 场效 磊晶层 基体结构 耗尽区 超结 第二金属层 第一金属层 导通电阻 多晶硅层 击穿电压 基底层 制造 | ||
1.一种具有立体超结的金属氧化半导体场效功率组件，包含：
一第一金属层；
一基底层，形成于所述第一金属层之上；
一磊晶层，形成于所述基底层之上；
多个第一沟槽井，形成于所述磊晶层之中；
多个基体结构层，其中对应每一第一沟槽井的一基体结构层形成于所述每一第一沟槽井之上和所述磊晶层之中，且所述每一第一沟槽井和所述磊晶层之间以及所述基体结构层和所述磊晶层之间形成一耗尽区的部份；
多个多晶硅层，其中每一多晶硅层形成于两相邻基体结构层和所述磊晶层之上，且所述每一多晶硅层被一氧化层包覆；
一第二金属层，形成于所述多个基体结构层和多个氧化层之上；及
其特征在于还包含：
多个第二沟槽井，其中对应所述每一第一沟槽井的一第二沟槽井形成于所述每一第一沟槽井之下，且所述第二沟槽井和所述磊晶层之间形成所述耗尽区的其余部份；
其中所述基底层和所述磊晶层具有一第一导电类型，所述多个第一沟槽井和所述多个第二沟槽井具有一第二导电类型，以及所述多个第二沟槽井是用于增加所述金属氧化半导体场效功率组件的击穿电压和降低所述金属氧化半导体场效功率组件的导通电阻。
2.如权利要求1所述的金属氧化半导体场效功率组件，其特征在于：所述第二沟槽井和所述基体结构层另形成于所述磊晶层之中。
3.如权利要求1所述的金属氧化半导体场效功率组件，其特征在于：所述第二沟槽井的宽度小于所述每一第一沟槽井的宽度。
4.如权利要求1所述的金属氧化半导体场效功率组件，其特征在于：所述第二沟槽井的离子掺杂浓度大于所述每一第一沟槽井的离子掺杂浓度。
5.如权利要求1所述的金属氧化半导体场效功率组件，其特征在于：所述每一第一沟槽井是通过一深沟槽回填方式所产生。
6.如权利要求1所述的金属氧化半导体场效功率组件，其特征在于：所述基底层的离子掺杂浓度大于所述磊晶层的离子掺杂浓度。
7.如权利要求1所述的金属氧化半导体场效功率组件，其特征在于：所述基体结构层包含：
一基体，具有所述第二导电类型且形成于所述每一第一沟槽井之上；
一掺杂井，具有所述第二导电类型且形成于所述基体之中；
一第一掺杂区，具有所述第一导电类型且形成于所述掺杂井和所述基体之中；及
一第二掺杂区，具有所述第一导电类型且形成于所述掺杂井和所述基体之中；
其中所述基体的离子掺杂浓度大于所述每一第一沟槽井的离子掺杂浓度，所述掺杂井的离子掺杂浓度大于所述基体的离子掺杂浓度，以及当所述金属氧化半导体场效功率组件开启时，所述第一掺杂区相对于所述第二掺杂区的一边形成一第一通道和所述第二掺杂区相对于所述第一掺杂区的一边形成一第二通道。
8.如权利要求1所述的金属氧化半导体场效功率组件，其特征在于：所述每一第一沟槽井和所述磊晶层是通过多层磊晶和离子植入方式所产生。
9.如权利要求8所述的金属氧化半导体场效功率组件，其特征在于：所述每一第一沟槽井的离子掺杂浓度是由上往下逐渐增加。
10.如权利要求1所述的金属氧化半导体场效功率组件，其特征在于：所述第一导电态样是N型，且所述第二导电态样是P型。
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