[发明专利]一种碳化硅方镜素坯凹槽加工方法有效
申请号: | 201710036699.0 | 申请日: | 2017-01-18 |
公开(公告)号: | CN106827255B | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 贺智勇;王晓波;张启富;千粉玲;史晓强 | 申请(专利权)人: | 北京钢研新冶精特科技有限公司 |
主分类号: | B28D1/18 | 分类号: | B28D1/18;C04B35/565;C08L91/06;C08L23/12;C08L23/06;C08K5/09 |
代理公司: | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人: | 王涛;彭霜 |
地址: | 100081 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 方镜素坯 凹槽 加工 方法 | ||
本发明涉及一种碳化硅方镜素坯凹槽加工方法,利用数控加工中心进行加工,凹槽直径大于Φ378mm,深度大于5mm,底部厚度小于等于6mm,底部距离减重腔上表面中空距离大于60mm,要求加工精度±0.2mm。包括:第一步,利用石蜡填充减重腔中空部分;第二步,选择Φ10‑Φ12mm的聚晶金刚石铣刀,采用螺旋方式进刀,以600‑1200mm/min进给量,0.05‑0.1mm的吃刀量进行加工,逐层去除凹槽坯料;第三步,通过100‑120℃的烘烤将石蜡脱除。本发明可将方镜素坯加工过程中的成品率提高至95%以上,减少烧结后碳化硅方镜的加工量,生产效率可提高3‑5倍。
技术领域
本发明涉及碳化硅方镜技术领域,尤其涉及一种碳化硅方镜素坯凹槽加工方法。
背景技术
碳化硅方镜主要用于集成电路硅片光刻机工件台。光刻过程片工件台要完成步进运动、扫描运动、对准运动、调平调焦运动、上下片等运动,为保证每个运动都要求有高灵敏度和高精度,方镜上安装有相互独立互不干扰的多基准信号,通过双频干涉仪器实现闭环控制和在线测量。因此方镜是一个结构复杂,约束条件多的高精度光学零件。
碳化硅具有较小的热膨胀系数,较高的导热系数、耐热冲击和弹性模量而常被用作光学器件;但由于碳化硅的莫氏硬度达到9.2-9.5级,仅次于金刚石,所以烧结后的碳化硅方镜很难加工,不适宜大去除量加工,因此碳化硅方镜的许多特征均需在素坯状态下完成加工。凹槽结构是碳化硅方镜中一个典型的难加工特征,凹槽结构直径大、底部薄,并且底部下面是中空的减重结构,碳化硅方镜素坯抗弯强度低(≤25MPa),刀具切削素坯时会产生振动,容易导致凹槽加工时出现损伤,因此凹槽结构一般在烧结完成后再加工,直接影响产品生产效率。
发明内容
鉴于上述的分析,本发明旨在提供一种碳化硅方镜素坯凹槽加工方法,用以解决现有加工方法加工效率低,加工过程容易产生损伤的问题。
本发明的目的主要是通过以下技术方案实现的:
一种碳化硅方镜素坯凹槽加工方法,该碳化硅方镜素坯凹槽加工方法包括以下步骤:
步骤1、将石蜡填充到碳化硅方镜素坯的减重腔的中空部分;
步骤2、使用数控加工中心进行凹槽的加工;
步骤3、对加工后的碳化硅方镜素坯进行烘烤,直至石蜡全部脱除。
步骤1中,填充用石蜡由复合石蜡与松香按质量比10:1-5:1配置而成,填充体积大于减重腔体积的一半。
复合石蜡的原料为每1kg精炼石蜡加入:棕榈酸10g-20g、硬脂酸60g-80g、花生酸10g-20g、聚丙烯2g-5g、聚乙烯8g-15g、蜂蜡30g-60g;
精炼石蜡为58#精炼石蜡、60#精炼石蜡按任意质量比混合。
复合石蜡的原料为每1kg精炼石蜡加入:棕榈酸16.6g、硬脂酸62.5g、花生酸14.9g、聚丙烯3.3g、聚乙烯9.2g、蜂蜡49.5g;
精炼石蜡为58#精炼石蜡、60#精炼石蜡按质量比1:3混合。
步骤2中,数控加工中心使用Φ10-Φ12mm的聚晶金刚石铣刀,且采用螺旋方式进刀。
步骤2中,初始的进给量为1200mm/min,进刀量为0.1mm,进给量及进刀量随着加工的进行逐渐减小,且均与凹槽底部的厚度成正比,最终进给量减小至600mm/min,进刀量减小至0.05mm。
步骤3中,烘烤的温度为100-120℃,石蜡脱除过程中温度需缓慢升高至烘烤温度,且升温速率应保持3-5℃/min。
步骤3中,回收脱除的石蜡,并重复利用。
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