[发明专利]一种聚酰亚胺层的去除方法及半导体器件的制作方法

说明书

本发明提供一种聚酰亚胺层的去除方法及半导体器件的制作方法，该聚酰亚胺层的去除方法包括：对所述聚酰亚胺层进行预处理，以使所述聚酰亚胺层容易被改性处理试剂溶解；使用所述改性处理试剂对所述聚酰亚胺层进行改性处理，以提高所述聚酰亚胺层灰化刻蚀速率；通过灰化刻蚀去除所述聚酰亚胺层。该制作方法可以有效快速去除晶圆表面不符合要求的聚酰亚胺层，并且不会损伤晶圆表面的铝焊盘。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体晶圆表面的聚酰亚胺层的去除方法及半导体器件的制作方法。

背景技术

在半导体器件制造过程中，当在晶圆上形成器件结构和互连结构等后会在晶圆上形成阻挡层以保护内部的器件。在目前的技术中，聚酰亚胺(polyimide)由于具有很好的耐高温、低温、耐辐射性能和优良的电气绝缘性能，常用来作为阻挡层。然而在晶圆上形成聚酰亚胺的过程中由于各种异常，某些时候形成的聚酰亚胺阻挡层不符合要求，因此需要去除聚酰亚胺阻挡层，并重新形成符合要求的聚酰亚胺阻挡层。

在目前的工艺中一般使用可溶性有机溶剂和O₂等离子体去除聚酰亚胺。然而这种方法存在处理时间长，并且容易损伤晶圆表面的铝焊盘的问题，进而影响出货和生产效率。

因此，需要提出一种新的半导体器件的制作方法，以至少部分地解决上述问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本发明提出一种半导体晶圆表面的聚酰亚胺层的去除方法，可以有效快速去除晶圆表面不符合要求的聚酰亚胺层，并且不会损伤晶圆表面的铝焊盘。

为了克服目前存在的问题，本发明一方面提供一种半导体晶圆表面的聚酰亚胺层的去除方法，用于去除形成在半导体晶圆表面的聚酰亚胺层，其包括：对所述聚酰亚胺层进行预处理，以使所述聚酰亚胺层容易被改性处理试剂溶解；使用所述改性处理试剂对所述聚酰亚胺层进行改性处理，以提高所述聚酰亚胺层灰化刻蚀速率；通过灰化刻蚀去除所述聚酰亚胺层。

进一步地，对所述聚酰亚胺层进行预处理包括：对所述聚酰亚胺层进行离子轰击，以使所述聚酰亚胺层表面产生断链；使用双氧水清洗所述聚酰亚胺层，以使所述聚酰亚胺层容易被所述改性处理试剂溶解。

进一步地，采用氩等离子体对所述聚酰亚胺层进行离子轰击。

进一步地，采用氩等离子体对所述聚酰亚胺层进行离子轰击时轰击时间为1分钟以上。

进一步地，使用双氧水清洗所述聚酰亚胺层时，所述双氧水的温度为85℃以上。

进一步地，使用双氧水清洗所述聚酰亚胺阻挡层时，清洗时间为3分钟～5分钟。

进一步地，所述改性处理试剂为EKC试剂。

进一步地，使用所述改性处理试剂对所述聚酰亚胺层进行改性处理的时间为10分钟～60分钟。

进一步地，采用氧等离子体进行所述灰化刻蚀以去除所述聚酰亚胺层。

根据本发明的半导体器件的制作方法，通过聚酰亚胺层进行预处理和改性处理后，大大提高了灰化刻蚀速率，可以快速去除大量的聚酰亚胺层，并且不会损伤铝焊盘表面。此外，预处理和改性处理时间较短，大大提高了工艺效率。

为了克服目前存在的问题，本发明另一方面提供一种半导体器件的制作方法，其包括：提供半导体晶圆，在所述半导体晶圆表面形成聚酰亚胺层；检测所述聚酰亚胺层是否符合要求，如果不符合则采用上述的聚酰亚胺层的去除方法去除所述聚酰亚胺层。

进一步地，所述聚酰亚胺层用作所述半导体晶圆表面铝焊盘的阻挡层。