[发明专利]基板处理装置

说明书

本发明提供一种使工艺的生产率提高的基板处理装置。基板处理装置(10)包括腔室(1)、载置台(2)、底座(100)、排气口(83)以及沉积物捕集零件(20)。载置台(2)设于腔室(1)内，用于载置半导体晶圆(W)。底座(100)从下方支承载置台(2)。排气口(83)配置于底座(100)的下方。沉积物捕集零件(20)设于底座(100)的下表面，用于收集腔室(1)内的沉积物。

技术领域

本发明的各种方面和实施方式涉及基板处理装置。

背景技术

在半导体装置的制造工序中，可利用供给到腔室内的处理气体对被处理基板进行蚀刻、成膜等各种处理。对被处理基板进行的处理的精度较大程度地依赖于腔室内的压力、温度等条件。另外，即使腔室内的压力、温度等是恒定的，若压力、温度等在被处理基板的面上产生偏差，则处理的精度也在被处理基板的面上产生不均。

为了避免这点，公知有针对腔室内的被处理基板对称地配置排气口的技术(例如，参照下述的专利文献1～4)。由此，处理的均匀性在被处理基板的面内得以提高。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013－179054号公报

专利文献2：日本特开2011－003704号公报

专利文献3：日本特开2015－141908号公报

专利文献4：日本特开2007－242777号公报

发明内容

发明要解决的问题

不过，从腔室内排出的处理气体含有被称为沉积物的反应副产物的颗粒。这样的沉积物在排气的过程中附着于排气路径的侧壁、与排气路径连接的排气泵内。若附着于排气泵的沉积物变多，则排气泵的排气能力降低，难以将腔室内保持在预定的压力。因此，为了清除已附着到排气泵内的沉积物，需要定期地将排气泵分解来进行清洗。若进行排气泵的清洗，则工艺停止直到排气泵的清洗结束为止，工艺的生产率降低。

用于解决问题的方案

本发明的一技术方案是基板处理装置，其具有腔室、载置台、底座、排气口以及收集构件。载置台设于腔室内，用于载置被处理基板。底座从下方支承载置台。排气口配置于底座的下方。收集构件设于底座的下表面，用于收集腔室内的沉积物。

发明的效果

根据本发明的各种技术方案和实施方式，能够使工艺的生产率提高。

附图说明

图1是表示基板处理装置的一个例子的剖视图。

图2是示意性地表示腔室和载置台的位置关系的一个例子的图。

图3是示意性地表示图2所示的腔室的A－A截面的一个例子的图。

图4是示意性地表示图2所示的腔室的B－B截面的一个例子的图。

图5是表示绝缘性构件的下表面上的沉积物的附着量与温度之间的关系的实验结果的一个例子的图。

图6是表示沉积屏蔽件上的沉积物的附着量与温度之间的关系的实验结果的一个例子的图。

图7是表示挡板上的沉积物的附着量与温度之间的关系的实验结果的一个例子的图。

图8是表示设于载置台的外侧壁的沉积屏蔽件上的沉积物的附着量与温度之间的关系的实验结果的一个例子的图。