[发明专利]形成半导体光学器件的方法及半导体光学器件

权利要求书

1.一种形成半导体光学器件的方法，包括如下步骤：

形成台面，所述台面包括第一导电类型的下包覆层、有源层以及与所述第一导电类型相反的第二导电类型的上包覆层，所述台面两侧使所述下包覆层的表面露出；

掩埋所述台面，通过选择性地生长具有所述第二导电类型的第一掩埋层来掩埋所述台面，所述第一掩埋层将所述台面中的所述下包覆层、所述有源层和所述上包覆层的两侧覆盖起来，所述第一掩埋层具有位于所述台面侧的平坦面以及另一表面，所述平坦面的表面取向反映了所述下包覆层的从所述台面两侧露出的表面的表面取向，并且所述另一表面相对于所述平坦面具有更高指数的表面取向，所述平坦面的水平高度高于所述台面中的所述有源层的水平高度；以及

生长第二掩埋层，在540℃至580℃之间的温度使所述第一导电类型的所述第二掩埋层在覆盖所述第一掩埋层的同时生长，所述第二掩埋层具有平坦面和另一表面，所述第二掩埋层的所述平坦面与所述第一掩埋层的所述平坦面叠置，并具有与所述第一掩埋层的所述平坦面的所述表面取向相同的表面取向，所述第二掩埋层在所述第一掩埋层的所述平坦面的部分中的厚度比在所述第一掩埋层的所述另一表面的部分中的另一厚度薄，

其中，形成所述台面的步骤包括如下步骤：

在所述上包覆层的一部分中形成蚀刻掩模；以及

对位于所述蚀刻掩模的两侧的部分中的所述上包覆层、所述有源层以及所述下包覆层的一部分进行蚀刻，并且

掩埋所述台面的步骤包括如下步骤：

在从所述蚀刻掩模露出的部分中选择性地生长所述第一掩埋层，关于所述蚀刻掩模，所述第一掩埋层的所述平坦面形成为与所述蚀刻掩模相邻，而所述第一掩埋层的所述另一表面形成为远离所述蚀刻掩模，以及

在生长所述第二掩埋层的步骤之前使所述蚀刻掩模缩窄。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中，形成所述台面的步骤包括如下步骤：

制备基板，所述基板包括具有(100)表面取向的主平面；

在所述基板的所述主平面上生长所述下包覆层、所述有源层和所述上包覆层，所述下包覆层的顶面具有(100)表面取向；以及

去除所述台面两侧的所述下包覆层的一部分、所述有源层的一部分和所述上包覆层的一部分，以形成所述台面，

所述下包覆层的所述表面从所述台面两侧露出，所述第一掩埋层的所述平坦面和所述第二掩埋层的所述平坦面具有所述(100)表面取向。

3.根据权利要求1所述的方法，

其中，掩埋所述台面的所述步骤包括如下步骤：选择性地生长所述第一掩埋层，使得所述第一掩埋层的所述平坦面的水平高度变得高于所述台面的顶部水平高度。

4.根据权利要求1所述的方法，

其中，掩埋所述台面的步骤包括如下步骤：选择性地使半绝缘半导体层生长为所述第一掩埋层。

5.根据权利要求1所述的方法，

其中，在生长压力不小于13.3kPa的条件下执行生长所述第二掩埋层的步骤。

6.根据权利要求1所述的方法，

其中，通过供应氯甲烷来执行生长所述第二掩埋层的步骤。