[发明专利]有机发光二极管装置及其制作方法

权利要求书

1.一种有机发光二极管装置，包括基板、设于所述基板的OLED单元及形成于所述OLED单元表面且用于封装所述OLED单元的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括设置在所述OLED单元表面的水氧吸收层、沉积在所述水氧吸收层表面的有机-无机渐变层和沉积在所述有机-无机渐变层表面的无机阻隔层，所述有机-无机渐变层包括依次沉积形成的有机层、有机-无机混合层和无机层，其中所述有机层包裹于所述水氧吸收层外表面，所述无机阻隔层包裹于所述无机层外表面，所述水氧吸收层由金属烷氧化物制成，所述金属烷氧化物中的金属元素选自Ⅰ-Ⅵ族金属元素或过渡金属元素。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述有机-无机混合层包括若干个依次沉积形成的且有机相/无机相混合比例不相同的混合子层，自靠近所述有机层一侧的混合子层到靠近所述无机层一侧的混合子层的有机相/无机相混合比例逐渐变小，且混合比例范围为99:1～1:99。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述有机-无机渐变层材料为SiO_xC_y、SiC_xN_y、SiO_xN_y或二元硅组合物。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述有机-无机渐变层通过等离子增强化学气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积、半导体激光沉积或溅镀沉积方式成膜。

5.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述有机-无机渐变层的厚度为1nm-10μm。

6.根据权利要求5所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述无机阻隔层由氮化物、碳化物、碳氮化物、氧化物或碳氧化物中的至少一种材料制成，其厚度为1nm-10μm。

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述无机阻隔层的厚度为1nm-1μm。

8.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述水氧吸收层的厚度大于等于1A。

9.一种制造权利要求1-8任一项所述的有机发光二极管装置的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基板和OLED单元，并将所述OLED单元沉积于所述基板上；

在所述OLED单元外表面沉积水氧吸收层；

在所述水氧吸收层外表面沉积有机-无机渐变层；

在所述有机-无机渐变层上沉积无机阻隔层，所述水氧吸收层、所述有机-无机渐变层和所述无机阻隔层形成所述OLED单元的封装结构。

10.根据权利要求9所述的有机发光二极管装置的制作方法，其特征在于，所述有机-无机渐变层的制作步骤包括：

以硅氧烷、O₂/N₂O作为前躯体，通过调整前躯体的混合比例，并采用等离子增强化学气相沉积方式，形成由有机相过渡到有机-无机混合相，再过渡到无机相的渐变层结构，形成所述有机-无机渐变层。