[发明专利]OLED器件及其制造方法以及显示装置在审
| 申请号： | 201710007623.5 | 申请日： | 2017-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN108281556A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 李梦真;刘嵩;葛泳 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阴极 电子注入层 金属材料 阳极 活泼金属 显示装置 透光率 有机层 基板 惰性金属 依次设置 高电压 功函 合金 制造 | ||
1.一种OLED器件，包括基板以及依次设置在所述基板上的阳极、有机层和阴极，其特征在于，还包括电子注入层，位于所述有机层与阴极之间；所述阴极由透明导电材料制成，所述电子注入层由金属材料制成，所述金属材料为活泼金属或活泼金属与惰性金属的合金。
2.如权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述透明导电材料为ITO，所述电子注入层为镁与银的合金。
3.如权利要求1或2所述的OLED器件，其特征在于，所述电子注入层的厚度为1nm～5nm；所述电子注入层中镁与银的质量比为1:1～10:1。
4.如权利要求3所述的OLED器件，其特征在于，所述电子注入层的厚度为2nm；所述电子注入层中镁与银的质量比为4:1。
5.一种包含有权利要求1～4任一项所述的OLED器件的有机发光显示装置。
6.一种OLED器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基板，在所述基板上形成阳极与有机层；
在所述有机层上形成电子注入层，所述电子注入层由金属材料制成，所述金属材料为活泼金属或活泼金属与惰性金属的合金；
在所述电子注入层上形成透明阴极。
7.如权利要求6所述的OLED器件的制造方法，其特征在于，所述透明阴极为ITO，所述电子注入层为镁与银的合金。
8.如权利要求6或7所述的OLED器件的制造方法，其特征在于，通过蒸镀的方法在所述有机层上形成所述电子注入层；通过溅射的方法形成所述透明阴极。
9.如权利要求6或7所述的OLED器件的制造方法，其特征在于，所述电子注入层的厚度为1nm～5nm；所述电子注入层中镁与银的质量比为1:1～10:1。
10.如权利要求9所述的OLED器件的制造方法，其特征在于，所述电子注入层的厚度为2nm；所述电子注入层中镁与银的质量比为4:1。
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