[发明专利]激光退火装置和激光退火方法在审
| 申请号: | 201680091147.3 | 申请日: | 2016-09-28 |
| 公开(公告)号: | CN109997213A | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
| 发明(设计)人: | 中川英俊 | 申请(专利权)人: | 堺显示器制品株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/20;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 汪飞亚;习冬梅 |
| 地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 激光退火装置 第二区域 第一区域 照射部 透镜 对象区域 激光照射 透镜列 基板 照射 列像素单元 处理基板 激光退火 间隔配置 垂直的 扫描时 配置 | ||
一种激光退火装置,用于处理基板,所述激光退火装置具备照射部,所述照射部中,由1个以上透镜构成的透镜列以第一间隔配置若干列,所述基板具有若干列第一区域列和若干列第二区域列,所述第一区域列是由1个以上照射对象区域构成的区域列并以所述第一间隔进行配置,从所述第一区域列开始,沿着与所述区域列垂直的方向向一侧离开小于所述第一间隔的第二间隔,在该处配置所述第二区域列,所述照射部在对所述基板进行扫描时,通过所述透镜对所述照射对象区域进行激光照射,在由含有第一和第二区域列的若干个区域列构成的一列像素单元列内,对于其中至少1种区域列,与其它种类的区域列相比,所述激光退火装置使用不同的透镜列进行激光照射。
技术领域
本发明涉及激光退火装置以及使用该激光退火装置的激光退火方法。
背景技术
近年来,在显示面板中使用薄膜晶体管(TFT:Thin Film Transistor)。具体来说,显示面板的薄膜晶体管具有在沟道区域使用非晶硅(以下称为a-Si)的a-Si TFT和在沟道区域使用多晶硅(以下称为p-Si)的p-Si TFT。
专利文献1中公开了一种薄膜晶体管的制造方法,在基板上形成栅极电极,在该栅极电极上形成栅极绝缘膜,在该栅极绝缘膜上形成a-Si膜,之后,通过激光照射该a-Si膜进行退火处理,使a-Si结晶为p-Si,在沟道区域形成p-Si膜,由此制造出薄膜晶体管。
〔专利文献〕
专利文献1:日本特开2011-29411号公报
发明内容
上述薄膜晶体管的制造方法中,使用激光退火装置对a-Si膜进行退火处理。激光退火装置中,在将光源射出的激光部分屏蔽之后,通过由若干个微透镜矩阵状配置而成的微透镜阵列,对显示面板的基板(TFT基板)上配置为矩阵状的多个照射对象区域(需要激光照射的区域)进行激光照射。其中,照射对象区域是基板上配置为矩阵状的多个像素部各自的薄膜晶体管中的特定区域,具体来说是在栅极电极的上侧形成的a-Si膜的一部分。
例如,激光退火装置在使微透镜阵列的列方向与矩阵状的多个照射对象区域的列方向一致的状态下,使包含微透镜阵列的照射部与基板沿着上述列方向进行相对移动,照射部对基板进行扫描,也就是使照射部在基板的上方进行移动。然后,激光退火装置在使照射部对基板进行扫描时,对位于微透镜对应位置的照射对象区域进行激光照射。
其中,激光退火装置无法通过1次扫描对基板的全部照射对象区域进行激光照射,因此,一般来说采用将基板划分成多个子区域进行扫描和激光照射的方法。也就是说,激光退火装置在对一个子区域进行扫描和激光照射之后,使照射部移动到对应于另一个子区域的位置,对该另一个子区域进行扫描和激光照射。
但是,采用上述方法的情况下,产生如下的问题。也就是说,在一次扫描中,微透镜与对应于该微透镜的照射对象区域之间的位置关系(尤其是上述矩阵的行方向上的位置关系)在扫描中不发生大的变化,因此激光照射时微透镜与照射对象区域的距离基本保持一定。因此,一次扫描中作为激光照射对象的多个照射对象区域的结晶度没有大的差异,一次扫描中作为激光照射对象的多个像素部(即子区域内的多个像素部)的显示特性基本相同。
另一方面,在一个子区域与另一个子区域之间,照射部从对应于一个子区域的位置移动到对应于另一个子区域的位置,受到该移动的影响,微透镜与对应于该微透镜的照射对象区域之间的位置关系产生差异,激光照射时微透镜与照射对象区域的距离产生差异。因此,在一个子区域与另一个子区域之间,照射对象区域的结晶度产生差异,像素部的显示特性产生差异。其结果,产生如下问题:在显示面板上显示图像时,一个子区域与相邻子区域之间的接缝就很明显,使用者容易看到该接缝。
本发明是鉴于上述问题而作出的,其目的在于提供激光退火装置和激光退火方法,能够实现使用者不易看到激光退火时设定的子区域之间的接缝。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





