[发明专利]离子铣削装置以及离子铣削方法

说明书

本发明提供一种加工技术，其能够抑制在加工面产生再沉积的可能性，并且获得所需的加工内容。为了解决该问题，根据本发明的离子铣削装置具有：离子源(1)，其发出离子束；试样保持部，其保持试样；以及试样滑动移动机构(70)，其使试样保持部沿包括离子束的轴的法线方向成分的方向滑动移动。

技术领域

本发明涉及离子铣削装置以及离子铣削方法，涉及用于制作例如用扫描电子显微镜(SEM)或透射电子显微镜(TEM)等进行观察的试样的离子铣削装置以及离子铣削方法。

背景技术

离子铣削装置是用于通过照射氩离子束等而对金属、玻璃、陶瓷等的表面或者截面进行研磨的装置，适合作为用于利用电子显微镜观察试样的表面或者截面的前处理装置。

以往，在利用电子显微镜进行的试样的截面观察中，在将想要观察的部位的附近使用例如金刚石刀具或线锯等进行切割之后，对切割面进行机械研磨，然后安装在电子显微镜用的试样台观察图像。在机械研磨的情况下，在例如像高分子材料或铝那样柔软的试样中，存在观察表面压坏或者由于研磨剂的粒子而留下较深的伤痕的问题。另外，在例如像玻璃或者陶瓷那样坚固的试样中，存在难以进行研磨的问题，在层叠了柔软的材料和坚固的材料的复合材料中，存在截面加工极其困难的问题。

对此，离子铣削即使在柔软的试样中也能加工而不会使表面的形态压坏，能够进行坚固的试样以及复合材料的研磨。另外，具有能够容易得到镜面状态的截面的效果。例如，在专利文献1中公开了如下离子铣削装置，其通过使试样倾斜或者旋转的同时照射离子束，在加工面中能够减轻筋状的凹凸的生成量。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014－139938号公报

发明内容

发明要解决的问题

本申请发明人对进行截面铣削时的加工方法进行了专心研究，其结果得到了以下见解。

所谓截面铣削是指，在配置于试样上部的遮蔽罩(遮蔽板)遮蔽离子束的一部分，沿着遮蔽罩的端面对试样的截面进行溅射。其结果，得到沿着遮蔽罩的端面的试样的截面。

然而，在需要对离子束宽度以上的加工宽度(观察宽度)、多个加工点进行加工的情况下，需要将试样室开放在大气中，改变加工位置，再次对试样室进行真空排气，之后进行额外的加工。若进行这种额外的加工，则生产量降低。

本发明是鉴于这种状况而做出的，提供一种能够防止生产量的降低并得到所需的加工内容的加工技术。

用于解决问题的方案

为了解决上述问题，根据本发明的离子铣削装置，对至少一部分被遮蔽罩遮蔽的试样照射离子束而加工该试样，具有：离子源，其发出离子束；试样保持部，其保持试样；以及试样滑动移动机构，其使试样保持部沿包括离子束的轴的法线方向成分的方向滑动移动。

发明的效果

根据上述结构，能够实现生产量的提高。

附图说明

图1是表示本实施方式的离子铣削装置的结构例1的图。

图2是表示试样遮蔽罩单元21主体的结构例的图。

图3是表示试样遮蔽罩单元21的其他结构例的图。

图4是用于说明使试样的截面与遮蔽罩变成平行的方法的图。

图5是表示试样台引出机构60的结构的图。

图6是表示观测遮蔽罩2与试样3的遮蔽位置关系的光学显微镜40的结构例的图。

图7是表示将设有试样遮蔽罩单元21的试样遮蔽罩单元微动机构4固定于固定台42上的状态的图。