[发明专利]超高性能碳化硅栅极驱动器

权利要求书

1.一种系统，包括：

一个或多个碳化硅半导体功率装置；

电力供应器电路板，其被配置成经由一个或多个连接器向第一栅极驱动器电路板提供功率；

所述第一栅极驱动器电路板，所述第一栅极驱动器电路板耦合到所述一个或多个碳化硅半导体功率装置且被配置成提供电流来驱动所述一个或多个碳化硅半导体功率装置的一个或多个栅极，其中所述第一栅极驱动器电路板的一个或多个信号路径经由所述一个或多个连接器耦合到所述电力供应器电路板的一个或多个信号路径，且其中所述第一栅极驱动器电路板与所述电力供应器电路板分离；以及

互连电路板，所述互连电路板耦合到所述第一栅极驱动器电路板，其中所述互连电路板被配置成将所述第一栅极驱动器电路板的所述一个或多个信号路径耦合到第二栅极驱动器电路板的一个或多个信号路径。

2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述电力供应器电路板被配置成经由所述互连电路板向所述第二栅极驱动器电路板提供功率。

3.根据权利要求1所述的系统，其中，所述互连电路板被配置成使得所述第一栅极驱动器电路板和所述第二栅极驱动器电路板能够插入到所述互连电路板内和从所述互连电路板拔掉。

4.根据权利要求1所述的系统，其中，所述第一栅极驱动器板和或所述第二栅极驱动器板包括去饱和电路系统。

5.根据权利要求1所述的系统，其中，所述电力供应器电路板包括一个或多个电力供应器。

6.根据权利要求1所述的系统，其中，所述第一栅极驱动器电路板和所述第二栅极驱动器电路板各自包括一个或多个栅极驱动器集成电路。

7.根据权利要求6所述的系统，其中，所述第一栅极驱动器电路板和所述第二栅极驱动器电路板中的每个栅极驱动器集成电路耦合到所述一个或多个碳化硅半导体功率装置中的一个碳化硅半导体功率装置。

8.根据权利要求1所述的系统，其中，所述互连电路板被配置成将输入信号修改成匹配所述电力供应器电路板、所述第一栅极驱动器电路板、所述第二栅极驱动器电路板或所述互连电路板中的逻辑栅极的传播延迟。

9.根据权利要求1所述的系统，其中，所述第一栅极驱动器电路板或所述第二栅极驱动器电路板的供应电压可被调整成匹配所述电力供应器电路板、所述第一栅极驱动器电路板、所述第二栅极驱动器电路板或所述互连电路板中的逻辑栅极的传播延迟。

10.一种系统，包括：

一个或多个碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管；

第一电力供应器电路板，所述第一电力供应器电路板被配置成向第一栅极驱动器电路板提供功率，其中所述第一电力供应器电路板包括设置于铜层上的跟踪层；

所述第一栅极驱动器电路板，所述第一栅极驱动器电路板耦合到所述一个或多个碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管，其中所述第一栅极驱动器电路板被配置成提供电流以驱动所述一个或多个碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的一个或多个栅极，其中所述第一栅极驱动器电路板的一个或多个信号路径耦合到所述第一电力供应器电路板的一个或多个信号路径，其中所述第一栅极驱动器电路板与所述第一电力供应器电路板分离，且其中所述第一栅极驱动器电路板包括设置于铜层上的跟踪层；以及

互连电路板，所述互连电路板耦合到所述第一栅极驱动器电路板，其中所述互连电路板被配置成将所述第一栅极驱动器电路板的所述一个或多个信号路径耦合到第二栅极驱动器电路板的一个或多个信号路径，其中所述互连电路板包括设置于铜层上的跟踪层，且其中所述第二栅极驱动器电路板包括设置于铜层上的跟踪层。

11.根据权利要求10所述的系统，其中，所述第二栅极驱动器电路板的所述一个或多个信号路径耦合到第二电力供应器电路板的一个或多个信号路径，其中所述第二电力供应器电路板被配置成向所述第二栅极驱动器电路板提供功率。