[发明专利]拍摄元件以及拍摄装置有效
申请号: | 201680075596.9 | 申请日: | 2016-12-26 |
公开(公告)号: | CN108431958B | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
发明(设计)人: | 高原宏明 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;G02B7/34;G03B13/36;H01L27/146;H04N23/55 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 张轶楠;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 拍摄 元件 以及 装置 | ||
1.一种拍摄装置,
具备拍摄元件和控制部,
所述拍摄元件具有:
第1像素,其具有对透过光学系统后的光进行光电转换的第1光电转换部和遮挡向所述第1光电转换部入射的光的一部分并且以距所述第1光电转换部具有第1间隔的方式设置的第1遮光部,并且基于所述第1光电转换部的光电转换来输出信号;和
第2像素,其具有对透过所述光学系统所入射的光进行光电转换而生成电荷的第2光电转换部和遮挡向所述第2光电转换部入射的光的一部分并且以距所述第2光电转换部具有第2间隔的方式设置的第2遮光部,并且基于所述第2光电转换部的光电转换来输出信号,
所述控制部,基于所述光学系统的出射光瞳的位置、出射光瞳的距离的信息以及景深的信息中的至少一方来选择从所述第1像素输出的信号和从所述第2像素输出的信号中的至少一方,并且基于所选择的信号,将所述光学系统的位置控制为由所述光学系统所成的像在所述拍摄元件对焦的对焦位置,
所述第1像素具有第1微透镜,所述第2像素具有第2微透镜,所述第1微透镜和所述第1遮光部的间隔,与所述第2微透镜和所述第2遮光部的间隔不同。
2.根据权利要求1所述的拍摄装置,
所述第1光电转换部对透过所述第1微透镜后的光进行光电转换,
所述第2光电转换部对透过所述第2微透镜后的光进行光电转换。
3.根据权利要求1所述的拍摄装置,
所述第1遮光部的面积与所述第2遮光部的面积不同。
4.根据权利要求1所述的拍摄装置,
所述第1遮光部遮挡光的遮光面积与所述第2遮光部遮挡光的遮光面积不同。
5.根据权利要求1所述的拍摄装置,
所述第1像素接收透过所述光学系统的第1区域后的光,
所述第2像素接收透过所述光学系统的与所述第1区域不同的第2区域后的光。
6.根据权利要求1所述的拍摄装置,
所述第1光电转换部进行光电转换的光量与所述第2光电转换部进行光电转换的光量不同。
7.根据权利要求1所述的拍摄装置,
具备多个所述第1像素和多个所述第2像素,
多个所述第1像素中的至少两个所述第1像素分别具有的所述第1遮光部的面积根据该至少两个所述第1像素在所述拍摄元件上的位置而不同,
多个所述第2像素中的至少两个所述第2像素分别具有的所述第2遮光部的面积根据该至少两个所述第2像素在所述拍摄元件上的位置而不同。
8.根据权利要求7所述的拍摄装置,
多个所述第1像素中的位于所述拍摄元件的中央附近的所述第1像素所具有的所述第1遮光部的面积比位于所述拍摄元件的端部附近的所述第1像素所具有的所述第1遮光部的面积小,
多个所述第2像素中的位于所述拍摄元件的中央附近的所述第2像素所具有的所述第2遮光部的面积比位于所述拍摄元件的端部附近的所述第2像素所具有的所述第2遮光部的面积小。
9.根据权利要求1所述的拍摄装置,
具备多个所述第1像素和多个所述第2像素,
所述第1像素的数量与所述第2像素的数量不同。
10.根据权利要求1所述的拍摄装置,
所述第1遮光部是在所述第1像素配置的电路的布线,所述第2遮光部是在所述第2像素配置的电路的布线。
11.根据权利要求1所述的拍摄装置,
所述控制部,在选择了从所述第1像素输出的信号时,若与所述光学系统相关的信息发生变化,则基于从所述第2像素输出的信号,将所述光学系统的位置控制为所述对焦位置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社尼康,未经株式会社尼康许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680075596.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的