[发明专利]等离子体浸没式离子注入机的控制方法和偏压电源有效
| 申请号: | 201680071912.5 | 申请日: | 2016-12-05 | 
| 公开(公告)号: | CN109075005B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 | 
| 发明(设计)人: | F·托瑞格罗萨;L·洛克斯 | 申请(专利权)人: | 离子射线服务公司 | 
| 主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;C23C14/48;H01L21/223 | 
| 代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 郭思宇 | 
| 地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 等离子体 浸没 离子 注入 控制 方法 偏压 电源 | ||
1.一种用于在基底(SUB)的等离子体浸没中操作的离子注入机的控制方法,包括:
注入阶段([1]),在其间等离子体被激发,并且基底(SUB)被施加负偏压,
中立化阶段([2]),在其间等离子体被激发,并且基底(SUB)被施加正偏压或零偏压,
抑制阶段([3]),在其间等离子体被熄灭,
基底(SUB)处的带负电粒子的排出阶段([4]),在其间等离子体被熄灭,
其中所述排出阶段的持续时间大于5μs,以及
在所述排出阶段([4])之后,所述方法包括预备阶段([5]),在其间等离子体被熄灭并且基底(SUB)被施加正偏压或零偏压。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述排出阶段([4])期间,基底(SUB)被施加负偏压。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述注入机包括位于该基底(SUB)外围的回收电极(LIN),在所述排出阶段([4])期间,所述回收电极被施加正偏压。
4.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于在所述抑制阶段([3])期间,基底(SUB)被施加正偏压或零偏压。
5.一种用于在基底(SUB)的等离子体浸没中操作的离子注入机的控制模块,所述离子注入机包括用于对离子注入机进行偏压的基底电源(PS)、用于为射频天线(ANT)供电的等离子体电源(AP)和用于控制基底电源(PS)和等离子体电源(AP)的控制电路(CC),所述基底电源(PS)包括:
正极接地的第一发电机(HT),
第一开关(SW1),其第一极连接到所述第一发电机(HT)的负极并且其第二极连接到该电源(PS)的输出端子(S),
第二开关(SW2),其第一极连接到补偿端子(P)并且其第二极连接到所述输出端子(S),所述输出端子(S)连接到离子注入机的基底承载板(PPS),
其中所述电源包括第三开关(SW3),其第一极连接到辅助发电机(GA)的负极并且其第二极连接到所述输出端子(S),所述辅助发电机(GA)的正极连接到连接端子(L),
其中所述控制模块被配置为在用于在等离子体浸没中操作的离子注入机的控制方法的排出阶段([4])之后执行预备阶段([5]),在所述预备阶段([5])期间,等离子体被熄灭并且基底(SUB)被施加正偏压或零偏压,所述预备阶段([5])包括:
保持等离子体电源(AP)被禁用,
保持第一开关(SW1)被打开,
闭合第二开关(SW2),和
打开第三开关(SW3)。
6.根据权利要求5所述的离子注入机的控制模块,其特征在于所述连接端子(L)接地。
7.根据权利要求5所述的离子注入机的控制模块,其特征在于,所述注入机包括回收电极(LIN),所述连接端子(L)连接到该回收电极。
8.根据权利要求5至7中任一项所述的离子注入机的控制模块,其特征在于所述补偿端子(P)接地。
9.根据权利要求5至7中任一项所述的离子注入机的控制模块,其特征在于所述补偿端子(P)连接到第二发电机(GP)的正极,所述第二发电机(GP)的负极接地。
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