[发明专利]对CVD反应器中的电极夹持器进行绝缘和密封的设备

权利要求书

1.对CVD反应器中的电极夹持器进行绝缘和密封的设备，所述反应器包括适合于容纳细丝棒的电极，电极位于由导电材料制成并且安装在底板的凹坑中的电极夹持器上，其中在电极夹持器与底板之间设置有由在室温下的热导率为0.2至50W/mK、最小弯曲强度大于120MPa且在室温下的电阻率大于10⁹Ω· cm的材料制成的电绝缘环，其中在电极夹持器与底板之间具有至少两个环形密封元件以实现密封，其中所述至少两个环形密封元件并不是位于所述电绝缘环的相同侧，其中电绝缘环或电极夹持器或底板包括至少一个凹槽，第一密封元件固定在凹槽中，其中在电绝缘环与底板之间或者在电绝缘环与电极夹持器之间具有至少一个并非固定在凹槽中的第二密封元件。

2.根据权利要求1的设备，其中所述电绝缘环的材料选自以下组中：氧化铝、氮化硅、氮化硼、氧化锆以及用氧化钇稳定化的氧化锆、用氧化镁稳定化的氧化锆和用氧化钙稳定化的氧化锆。

3.根据权利要求1或根据权利要求2的设备，其中所述第一密封元件是石墨薄膜环。

4.根据权利要求1或根据权利要求2的设备，其中所述第一密封元件是金属O形环或具有开口剖面的具有弹簧作用的金属密封件。

5.根据权利要求4的设备，其中所述金属密封件具有C形剖面并且用银涂覆。

6.根据权利要求1至5之一的设备，其中所述第二密封元件是由石墨或PTFE制成的密封垫。

7.根据权利要求6的设备，其中通过用金属箔或银箔围绕密封垫的反应器侧密封面卷边，从而将所述密封垫在其反应器侧的密封圆周上装入腔室。

8.生产多晶硅的方法，包括将包含含硅组分和氢的反应气体引入CVD反应器中，反应器包括至少一根位于根据权利要求1至7之一的设备上的细丝棒，细丝棒利用电极进行供电并由此通过直接流通电流而加热至在细丝棒上沉积多晶硅的温度。