[发明专利]芯片分离装置与芯片分离方法

说明书

本发明是有关于一种可防止附着于胶带的半导体芯片受损而有效地进行分离的芯片分离装置及芯片分离方法。芯片分离装置包括：推出罩，具备支持本体、吸附孔及推孔，支持本体支持自胶带分离的半导体芯片外周的胶带的下表面，吸附孔形成于支持本体的上表面，推孔上下贯通支持本体的上表面的中央部；升降构件，具备升降本体、贯通孔及空腔，升降本体插入至推出罩的推孔而可上下升降，贯通孔上下贯通升降本体的上表面的中央部，空腔与贯通孔相通而形成至升降本体；弹性构件，填充设置至升降构件的空腔；加压构件，可相对于空腔进退而设置至升降本体；拾取头，配置至推出罩的上侧，吸附将通过弹性构件推顶的半导体芯片使半导体芯片上升来分离半导体芯片。

技术领域

本发明涉及一种芯片分离装置及芯片分离方法，更详细而言，涉及一种分离附着于胶带的半导体芯片而以安装至封装体或基板的方式供给的芯片分离装置及芯片分离方法。

背景技术

形成于晶圆的半导体芯片以附着于具有黏着力的较薄的胶带的状态传递至下一制程。

图1是表示附着至胶带而供给的半导体芯片的一例的图。形成有多个半导体芯片的晶圆(wafer)于附着至较薄的胶带后，以各半导体芯片为单位进行切割(sawing)。在如上所述的状态下，若对胶带T施加张力而均匀地拉拽，则如图1所示般成为多个半导体芯片C按照固定间隔附着于胶带T的状态。

如图1所示，附着于胶带T的状态的多个半导体芯片C依次自胶带T逐一分离(detaching)而附着至基板。最近，非常薄地制作如上所述的半导体芯片C的厚度的情形较多。在半导体芯片C的厚度较薄的情形时，在自胶带T分离半导体芯片C的过程中，半导体芯片C容易破损。特别是，在半导体芯片C的面积广于半导体芯片C的厚度的情形时，存在如下问题：在自胶带T分离半导体芯片C的过程中，因胶带T与半导体芯片C之间的黏着力而半导体芯片C容易破损。

先前，固定胶带T，利用销自胶带T的下侧推顶胶带T而自胶带T分离半导体芯片C的边缘。如上所述，利用拾取头提拉边缘自胶带T分离的半导体芯片C而转贴至基板。在利用销推顶胶带T的方法的情形时，存在因销与半导体芯片C碰撞产生的冲击而半导体芯片C破损的问题。如上所述，在半导体芯片C的面积广于半导体芯片C的厚度的情形时，即便利用销推顶胶带T，也会产生胶带T弹性变形或撕裂而无法自胶带T分离半导体芯片C的情形。

发明内容

发明欲解决的课题

本发明是为了解决如上所述的问题而提出，有关于一种可将传递至半导体芯片的冲击最小化而有效地自胶带分离半导体芯片的芯片分离装置及芯片分离方法。

解决课题的手段

用以解决如上所述的目的的本发明的芯片分离装置用以分离黏着于较薄的胶带的半导体芯片，上述芯片分离装置包括：推出罩，具备支持本体、吸附孔及推孔(pushhole)，上述支持本体支持将自上述胶带分离的上述半导体芯片外周的上述胶带的下表面，上述吸附孔以可吸附与上述支持本体接触的部分的上述胶带的下表面的方式形成于上述支持本体的上表面，上述推孔以上下贯通上述支持本体的上表面的中央部的方式形成；升降构件，具备升降本体、贯通孔及空腔，上述升降本体以插入至上述推出罩的推孔而可上下升降的方式设置，以便可通过上述推孔向上侧推顶通过上述推出罩的吸附孔传递的真空而吸附的上述胶带，上述贯通孔以上下贯通上述升降本体的上表面的中央部的方式形成，上述空腔以与上述贯通孔相通的方式形成至上述升降本体；弹性构件，填充设置至上述升降构件的空腔，以便可通过上述贯通孔凸出地弹性变形而连同上述半导体芯片一并推顶上述胶带；加压构件，以与上述升降构件的空腔的内周形状对应的方式形成，以便可对上述弹性构件施加压力而使上述弹性构件弹性变形，以可相对于上述空腔进退的方式设置至上述升降本体；以及拾取头，配置至上述推出罩的上侧，吸附将通过上述弹性构件推顶的上述半导体芯片而使半导体芯片上升来分离上述半导体芯片。