[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

半导体器件具有半导体衬底(SB)和形成在半导体衬底(SB)的主面上的布线构造。布线构造所包含的多个布线层中的最上方的第1布线层包含焊盘(PD)，焊盘(PD)具有用于接合铜导线的第1区域、和用于使探针接触的第2区域。布线构造所包含的多个布线层中的比第1布线层低一层的第2布线层包含配置在焊盘(PD)的正下方的布线(M6)，布线(M6)配置在焊盘(PD)的第1区域以外的区域的正下方，在焊盘(PD)的第1区域的正下方，没有形成与布线(M6)同层的导体图案。

技术领域

本发明涉及半导体器件及其制造方法，例如能够良好地利用于连接铜导线的半导体器件及其制造方法。

背景技术

在半导体芯片的焊盘上连接有导线。作为与焊盘连接的导线，具有金导线，但近年来，研究使用铜导线。

在日本特开2014-143236号公报(专利文献1)中，记载了与能够适用于铜导线接合的半导体器件相关的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-143236号公报

发明内容

在连接铜导线的半导体器件中，期望提高可靠性。

其他课题和新的特征可以从本说明书的记述及附图得以明确。

根据一个实施方式，半导体器件具有：具有焊盘的半导体芯片；与上述半导体芯片的上述焊盘电连接的铜导线；和将上述半导体芯片及上述铜导线封固的封固树脂部。在上述半导体芯片中，上述焊盘具有用于接合上述铜导线的第1区域、和用于使探针(probe)接触的第2区域。在上述半导体芯片中，比上述焊盘低一层的布线层包含配置在上述焊盘的正下方的第1布线，上述第1布线配置在上述焊盘的除上述第1区域以外的区域的正下方，在上述焊盘的上述第1区域的正下方，没有形成与上述第1布线同层的导体图案。

根据一个实施方式，半导体器件具有半导体衬底、和形成在上述半导体衬底的主面上的布线构造。上述布线构造所包含的多个布线层中的最上方的第1布线层包含焊盘，上述焊盘具有用于接合铜导线的第1区域、和用于使探针接触的第2区域。上述布线构造所包含的上述多个布线层中的比上述第1布线层低一层的第2布线层包含配置在上述焊盘的正下方的第1布线，上述第1布线配置在上述焊盘的除上述第1区域以外的区域的正下方，在上述焊盘的上述第1区域的正下方，没有形成与上述第1布线同层的导体图案。

根据一个实施方式，半导体器件的制造工序具有：(a)工序，准备半导体衬底；(b)工序，在上述半导体衬底的主面上形成布线构造；(c)工序，使探针与上述布线构造所包含的多个布线层中的最上方的第1布线层中包含的焊盘接触来进行探针检查；以及(d)工序，将铜导线电连接于上述焊盘。上述焊盘具有用于接合上述铜导线的第1区域、和用于使上述探针接触的第2区域。上述多个布线层中的比上述第1布线层低一层的第2布线层包含配置在上述焊盘的正下方的第1布线，上述第1布线配置在上述焊盘的除上述第1区域以外的区域的正下方，在上述焊盘的上述第1区域的正下方没有形成与上述第1布线同层的导体图案。

发明效果

根据一个实施方式，能够提高半导体器件的可靠性。

附图说明

图1是一个实施方式的半导体器件的整体平面图。

图2是表示将图1的半导体器件(半导体芯片)封装化得到的半导体器件(半导体封装)的一例的剖视图。

图3是表示将图1的半导体器件(半导体芯片)封装化得到的半导体器件(半导体封装)的其他一例的剖视图。

图4是表示图2所示的半导体器件的制造工序的流程图。

图5是表示图3所示的半导体器件的制造工序的流程图。