[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
申请号: | 201680055999.7 | 申请日: | 2016-02-23 |
公开(公告)号: | CN108140577B | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 出口善宣;渡边彰信 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/3205 | 分类号: | H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;王娟娟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件,具有:
具有焊盘的半导体芯片;
与所述半导体芯片的所述焊盘电连接的铜导线;和
将所述半导体芯片及所述铜导线封固的封固树脂部,
所述半导体器件的特征在于,
所述半导体芯片具有:
半导体衬底,在所述半导体衬底的主面上形成有半导体元件;和
形成在所述半导体衬底的主面上的、包含多个绝缘膜和多个布线层的布线构造,
所述多个布线层中的最上方的第1布线层包含所述焊盘,
所述焊盘具有用于接合所述铜导线的第1区域、和用于使探针接触的第2区域,
所述多个布线层中的比所述第1布线层低一层的第2布线层包含配置在所述焊盘的正下方的第1布线,
所述第1布线配置在所述焊盘的除所述第1区域以外的区域的正下方,
在所述焊盘的所述第1区域的正下方,没有形成与所述第1布线同层的导体图案,
所述第1布线配置在所述焊盘的所述第2区域的正下方,
所述半导体元件配置在所述第1区域及所述第2区域的正下方。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,
所述多个布线层中的比所述第2布线层低一层的第3布线层包含配置在所述焊盘的正下方的第2布线及第3布线,
所述第2布线配置在所述焊盘的所述第1区域的正下方,
所述第3布线配置在所述焊盘的除所述第1区域以外的区域的正下方。
3.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,
所述第3布线配置在所述焊盘的所述第2区域的正下方。
4.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,
所述第1布线是电源布线或接地布线。
5.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,
所述半导体芯片中,所述焊盘沿着所述半导体芯片的上表面的第1边排列有多个,
所述第1布线在多个所述焊盘之下延伸。
6.根据权利要求5所述的半导体器件,其特征在于,
多个所述焊盘的所述第2区域彼此在沿着所述第1边的方向上排列成一列,
所述第1布线在多个所述焊盘的所述第2区域之下呈直线延伸。
7.根据权利要求6所述的半导体器件,其特征在于,
多个所述焊盘的所述第1区域彼此在沿着所述第1边的方向上排列成一列。
8.根据权利要求6所述的半导体器件,其特征在于,
在多个所述焊盘中混合存在有第1焊盘和第2焊盘,其中所述第1焊盘的所述第1区域比所述第1焊盘的所述第2区域接近所述第1边,所述第2焊盘的所述第2区域比所述第2焊盘的所述第1区域接近所述第1边,
所述第2焊盘与所述第1边之间的距离大于所述第1焊盘与所述第1边之间的距离。
9.根据权利要求5所述的半导体器件,其特征在于,
在多个所述焊盘中混合存在有第1焊盘和第2焊盘,其中所述第1焊盘的所述第1区域比所述第1焊盘的所述第2区域接近所述第1边,所述第2焊盘的所述第2区域比所述第2焊盘的所述第1区域接近所述第1边。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造