[发明专利]使用硅氢加成钝化的表面选择性原子层沉积

权利要求书

1.一种沉积膜的方法，所述方法包含：

提供基板，所述基板包含第一基板表面和第二基板表面，所述第一基板表面包括氢终止表面，而所述第二基板表面包括非氢终止表面；

将所述基板暴露于钝化剂，以与所述氢终止表面反应来形成钝化表面，所述钝化剂包含1-辛烯、1,4-环辛二烯或三甲基乙烯硅烷中的一种或多种；以及

将所述基板暴露于一种或多种沉积气体，以相对于所述钝化表面选择性地在所述第二基板表面上沉积膜，所述膜包含SiN、TiO、TiN、TaN或MnN中的一种或多种。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一基板表面包含硅。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述第二基板表面包含SiO和/或SiN中的一种或多种。

4.如权利要求2所述的方法，进一步包含第三基板表面，其中所述第二基板表面包含SiO，并且所述第三基板表面包含SiN。

5.如权利要求1所述的方法，进一步包含：从所述第一基板表面去除氧化物以产生所述氢终止表面。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述氧化物为原生氧化物。

7.如权利要求5所述的方法，其中从所述第一基板表面去除所述氧化物包含：将所述表面暴露于稀释的HF。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述钝化表面包含SiH，并且所述第二基板 表面包含SiOH。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述膜通过原子层沉积来沉积，所述原子层沉积包含顺序地暴露于第一反应气体和第二反应气体。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述膜包含SiN。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述第一反应气体包含硅烷、乙硅烷、丙硅烷、一氯硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、四氯化硅、六氯二硅烷(HCDS)、卤化碳硅烷中的一种或多种。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述第二反应气体包含含氮等离子体、氨、胺、肼和/或碳氮化物中的一种或多种。

13.一种沉积膜的方法，所述方法包含：

提供基板，所述基板包含第一基板表面和第二基板表面，所述第一基板表面包括氢终止表面，而所述第二基板表面包括非氢终止电介质；

将所述基板暴露于钝化剂，以与所述氢终止表面反应来形成钝化表面，所述钝化剂包含三甲基乙烯硅烷；以及

将所述基板暴露于一种或多种沉积气体，以相对于所述钝化表面选择性地在所述第二基板表面上沉积氮化硅膜。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述氮化硅膜通过顺序地将所述基板暴露于含硅气体和含氮气体来沉积。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述含硅气体包含四氯化硅，并且所述含氮气体包含氨。

16.一种沉积膜的方法，所述方法包含：

提供基板，所述基板包含第一基板表面和第二基板表面；

将所述基板暴露于稀释的HF，以从所述第一基板表面去除氧化物来提供氢终止表面，所述第二基板表面包含非氢终止表面；

将所述基板暴露于钝化剂，以与所述氢终止表面反应来形成钝化表面，所述钝化剂包含三甲基乙烯硅烷；以及

顺序地将所述基板暴露于第一反应气体和第二反应气体，以相对于所述钝化表面选择性地在所述第二基板表面上沉积SiN膜，所述第一反应气体包含四氯化硅，并且所述第二反应气体包含氨。