[发明专利]线锯装置以及工件的切割方法有效

专利信息
申请号: 201680036859.5 申请日: 2016-05-11
公开(公告)号: CN107921604B 公开(公告)日: 2019-05-17
发明(设计)人: 福田正树;沟上和贵;太田慎二 申请(专利权)人: 胜高股份有限公司
主分类号: B24B27/06 分类号: B24B27/06;B28D5/04;B28D7/02;H01L21/304
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李婷;刘林华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 装置 以及 工件 切割 方法
【说明书】:

本发明能够提供一种线锯装置以及工件的切割方法,其即使在工件切割工序的中间阶段,也能够高效地捕集飞溅的浆料而提高被切出的工件的表面质量。线锯装置具备以能够在横切作为切割对象的工件(W)的方向上行进的方式张设的至少1根线(11)、保持工件(W)并且使工件(W)相对于线(11)进行相对移动的工件保持部(12)、从线(11)的行进方向的上游侧向线(11)供给用于切割工件(W)的浆料的浆料供给部(13)以及捕集通过与工件(W)的接触而飞溅的浆料的浆料捕集部(14),浆料捕集部(14)以在与工件(W)相邻配置的状态下能够跟随工件(W)移动并且为了防止与线(11)接触而能够相对于工件(W)后退的方式构成。

技术领域

本发明涉及一种线锯装置以及工件的切割方法,尤其涉及一种即使在工件切割工序的中间阶段也能够高效地捕集飞溅的浆料而提高被切出的工件的表面质量的线锯装置以及工件的切割方法。

背景技术

用作半导体设备的基板的晶圆通过将包含硅或化合物半导体等的晶锭切薄、经平面磨削(研磨)工序、蚀刻工序以及镜面研磨(抛光)工序并最后清洗而制造。另外,在本说明书中,包括这些晶锭在内,将通过线锯装置切割的对象物称作“工件”。

一般来说,将工件切薄成晶圆状的线锯装置具备:以能够在横切作为切割对象的工件的方向上行进的方式张设的至少1根线;保持工件并且使工件相对于线进行相对移动的工件保持部;以及从线的行进方向的上游侧向线供给用于切割工件的浆料的浆料供给部。在该线锯装置中,一边从浆料供给部向线供给浆料,一边将通过工件保持部保持的工件压抵于高速行进的线,由此能够将工件切成晶圆。

在工件切割工序的初始阶段,从浆料供给部供给至线的浆料的一部分被吸入工件的切槽内而促进切割,剩余部分不促进切割而向线的下方掉落。然后,到了工件切割工序的中间阶段以后,工件成为圆柱形状,因此在初始阶段掉落的不促进切割的浆料会沿着工件的倾斜角度而向上方飞溅,并落到工件的表面上或工件保持部上。

若浆料落到工件或工件保持部,则工件或工件保持部会被过冷却而收缩,从而存在有损被切出的工件的纳米形貌(Nanotopography)或翘曲(Warp)之类的切割面的起伏形状的指标的问题。由于该切割面的起伏成分的增加很难在之后进行的研磨或抛光工序中完全矫正,因此会对成品晶圆的形状质量带来很大的影响。

因此,作为解决这样的问题的技术,在专利文献1中提出了具有捕集与工件接触而向上方飞溅的浆料的浆料捕集部的线锯装置。图1表示专利文献1中记载的线锯装置。在该图所示的线锯装置100中,附图标记11表示线,附图标记12表示工件保持部,附图标记13表示浆料供给部,附图标记W表示工件。而且,浆料捕集部14为了避免与线11等接触,在远离线11的工件W的上方位置处设置于工件保持部12。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本专利第4958463号公报。

发明内容

图2表示利用图1所示的线锯装置100切割工件W的工序,图2(a)表示初始阶段,图2(b)表示中间阶段,图2(c)表示最后阶段。并且,图中的箭头表示不促进切割的浆料的流动。另外,线11进行往复运动,在图2中表示从纸面的右侧向左侧行进的状态,浆料从配置于工件W的右侧的浆料供给部13供给至线11。如图2(a)所示,在工件切割工序的初始阶段,不促进切割的浆料向装置的下方掉落。与此相对,如图2(b)所示,工件切割工序到了中间阶段以后,不促进切割的浆料沿着工件的倾斜角度而向上方飞溅。

但是,如上所述,在线锯装置100中,由于工件捕集部14配置于远离线11的工件W的上方,因此如图2(c)所示,虽然能够在工件切割工序的最后阶段捕集飞溅出的浆料,但是无法在工件切割工序的中间阶段充分地捕集飞溅出的浆料。其结果,存在被切出的工件W的形状质量仍然会下降的问题。

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