[发明专利]存储器模块以及操作系统和方法

说明书

一种存储器模块，包括：易失性存储器子系统，经配置耦接到计算机系统中的存储器信道并且能够用作计算机系统的主存储器；非易失性存储器子系统，为计算机系统提供存储；以及模块控制器，耦接到易失性存储器子系统、非易失性存储器子系统和存储器信道。模块控制器响应于经由存储器信道接收的NV访问请求从非易失性存储器子系统读取第一数据，并且从易失性存储器子系统读取第二数据，并且响应于经由C/A总线接收的虚拟写入存储器命令，使第一数据的至少一部分写入易失性存储器子系统中。模块控制装置包括由计算机系统经由存储器信道可访问的状态寄存器。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年4月20日提交的题为“Hybrid Memory Module for ComputerSystem”的美国临时专利申请No.62/150,272以及于2015年5月7日提交的题为“MemoryModule and System and Method of Operation”的美国专利申请No.14/706,873的优先权，这两个申请的全部内容均通过引证结合于此。

技术领域

本文中的公开总体上涉及存储器模块，并且更具体地，涉及具有易失性和非易失性子系统的存储器模块及操作其的系统和方法。

背景技术

诸如网络服务器、个人计算机、PDA、移动电话、视频游戏、科学仪器、工业机器人、医疗电子器件等的计算机系统在很大程度上依赖于其系统或主存储器的容量和吞吐量及其为了最佳性能而对其访问的速度。目前，动态随机访问存储器(DRAM)通常用作系统存储器。DRAM是一种将每一位数据存储在集成电路中的独立电容器中的随机访问存储器。电容器可以被充电或放电，以便这两种状态用来表示一个比特的两个值，通常称为0和1。由于电容器泄漏电荷，所以信息最终会消失，除非周期性地刷新电容器电荷。由于这个刷新要求，所以与SRAM和其他静态存储器截然相反，这是动态存储器。

DRAM的结构简单性允许DRAM芯片达到非常高的密度，因为数十亿个晶体管和电容器对可以装配在单个存储器芯片上。另一方面，DRAM是易失性存储器，当去除电源时，会迅速丢失数据。与作为可被电擦除和重新编程的一种电子非易失性计算机存储介质的闪存相比，DRAM也昂贵得多。例如，高密度DRAM的成本可以是高性能闪存器件的20倍。而且，闪存芯片可具有比DRAM芯片更高的密度，这使得相同尺寸的存储器模块可以打包更多，以达到远远更大的存储容量。

附图说明

图1是根据某些实施例的计算机或服务器系统的框图；

图2是根据某些实施例的计算机或服务器系统的软件栈的框图；

图3是根据某些实施例的具有DRAM和闪存的存储器模块的框图；

图4是根据某些实施例的存储器模块中的模块控制器的框图；

图5是根据某些实施例的模块控制器中的控制逻辑电路的框图；

图6是示出根据某些实施例的存储器模块的实际的存储器地址空间的框图；

图7是根据某些实施例的计算机或服务器系统中的响应于页面错误的数据传输的流程图；

图8至图10是示出根据某些实施例的存储器模块上的各种数据传输的示图；

图11是示出根据某些实施例的页面进入数据流与正常存储器访问交错以避免数据访问冲突的定时图；

图12是示出根据某些实施例的状态报告处理的流程图；

图13是示出根据某些实施例的存储器模块上的状态寄存器的框图；

图14是示出根据某些实施例的计算机或服务器系统中的系统存储器地址空间的框图。

具体实施方式