[发明专利]接合体的制造方法

说明书

本发明提供一种接合体的制造方法，其通过较低温度的加热来接合第一被粘物和第二被粘物，在接合后能够得到具有优异耐热性的接合体。一种接合体的制造方法，其中，玻璃糊剂包含(A)结晶化玻璃料和(B)溶剂，(A)结晶化玻璃料具有玻璃化转变温度、结晶化温度和再熔融温度，再熔融温度为超过结晶化温度的温度，结晶化温度为超过玻璃化转变温度的温度，所述制造方法包括下述工序：对第一被粘物和第二被粘物涂布玻璃糊剂的工序；夹着玻璃糊剂来接合第一被粘物和第二被粘物的工序；将夹着玻璃糊剂进行了接合的第一被粘物和第二被粘物加热至(A)结晶化玻璃料的结晶化温度以上且低于再熔融温度的工序；以及，将夹着玻璃糊剂进行了接合的第一被粘物和第二被粘物冷却至结晶化玻璃料的玻璃化转变温度以下从而得到接合体的工序。

技术领域

本发明涉及使用玻璃糊剂来接合第一被粘物和第二被粘物的接合体的制造方法。

背景技术

含有玻璃和导电性颗粒的糊剂被用作接合基板和半导体芯片、基板和盖体、基板和放热部件等的接合材料。例如，含有玻璃和导电性颗粒的糊剂被用作对粘接在陶瓷基板上的电路层粘接半导体芯片等半导体元件的芯片接合材料。专利文献1中公开了一种芯片接合材料糊剂，其含有：包含V₂O₅的无铅玻璃、以及30～95体积％的金属颗粒。专利文献1中，作为芯片接合材料糊剂中含有的玻璃，公开了在玻璃组成中包含总量为65质量％的V₂O₅和Ag₂O、且玻璃化转变温度(Tg)为163℃、玻璃结晶化温度(Tcry)为263℃、软化点(Ts)为208℃的玻璃。

另外，专利文献2中公开了一种用于将半导体设备接合于基板的玻璃糊剂，所述玻璃糊剂使用了玻璃化转变温度约为250℃以下、结晶化温度为300℃以下且晶体的再熔融温度约为350℃以下的具有特定组成的玻璃粉末。专利文献2公开的玻璃糊剂中包含的玻璃以氧化物基准计含有Ag₂O 46.9重量％、V₂O₅ 22.0重量％、TeO₂ 8.9重量％、PbO₂ 22.2重量％。并公开了：具有该玻璃组成的微细粉末状玻璃通过基于DSC的分析，玻璃化转变温度(Tg)为152.4℃、玻璃晶化峰温度(Tc)为199.2℃、玻璃再熔融峰温度(Tr)为275.8℃。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-151396号公报

专利文献2：日本特表平8-502468号公报

发明内容

发明要解决的问题

专利文献1中未记载玻璃再熔融温度。另外，关于专利文献1记载的芯片接合材料糊剂，记载了在糊剂中包含的玻璃的结晶化温度263℃以上、例如350℃或450℃下进行预烧成，另外，专利文献2中公开了将夹在半导体元件与基板之间的玻璃糊剂加热至玻璃糊剂中包含的玻璃的再熔融温度以上，例如350℃或450℃，从而将半导体元件接合于基板的方法。

然而，加热至玻璃糊剂中包含的玻璃的再熔融温度以上来接合半导体元件和基板时，有时半导体元件因加热而受损。因此，期望通过更低温度的加热来接合半导体元件和基板的方法。

像这样，考虑到抑制因加热而对半导体元件造成的损伤、因高温的加热而造成的能量浪费等，要求能够以更低温度的加热来接合被粘物的玻璃糊剂。被粘物为例如功率器件用半导体元件时，要求能够通过低温的加热来接合被粘物，并且对半导体模块等接合体也要求高耐热性。

本发明的目的在于，为了解决上述问题，提供通过较低温度的加热能够接合第一被粘物和第二被粘物，且接合后也能够得到具有优异耐热性的接合体的制造方法。

用于解决问题的方法