[发明专利]接合体的制造方法

权利要求书

1.一种接合体的制造方法，其使用玻璃糊剂来接合第一被粘物和第二被粘物，

玻璃糊剂包含(A)结晶化玻璃料和(B)溶剂，(A)结晶化玻璃料具有玻璃化转变温度、结晶化温度和再熔融温度，再熔融温度为超过结晶化温度的温度，结晶化温度为超过玻璃化转变温度的温度，

所述接合体的制造方法包括下述工序：

对第一被粘物和/或第二被粘物涂布玻璃糊剂的工序；

夹着玻璃糊剂接合第一被粘物和第二被粘物的工序；

将夹着玻璃糊剂进行了接合的第一被粘物和第二被粘物加热至(A)结晶化玻璃料的结晶化温度以上且低于再熔融温度的工序；以及

将夹着玻璃糊剂进行了接合的第一被粘物和第二被粘物冷却至结晶化玻璃料的玻璃化转变温度以下从而得到接合体的工序。

2.根据权利要求1所述的接合体的制造方法，其中，玻璃糊剂还包含(C)导电性颗粒。

3.根据权利要求1所述的接合体的制造方法，其中，(A)结晶化玻璃料的再熔融温度为300℃以上。

4.根据权利要求1所述的接合体的制造方法，其中，(A)结晶化玻璃料的玻璃化转变温度与结晶化温度之差为30℃以上且185℃以下。

5.根据权利要求1所述的接合体的制造方法，其中，(A)结晶化玻璃料的结晶化温度为150℃以上且350℃以下。

6.根据权利要求1所述的接合体的制造方法，其中，(A)结晶化玻璃料的玻璃化转变温度为110℃以上且低于200℃。

7.根据权利要求1所述的接合体的制造方法，其中，(A)结晶化玻璃料包含Ag₂O和V₂O₅。

8.根据权利要求7所述的接合体的制造方法，其中，(A)结晶化玻璃料包含选自由TeO₂、MoO₃、MnO₃、ZnO、CuO、TiO₂、MgO、Nb₂O₅、BaO、Al₂O₃、SnO和Fe₂O₃组成的组中的至少1种氧化物。

9.根据权利要求7或8所述的接合体的制造方法，其中，(A)结晶化玻璃料包含(A-1)Ag₂O和(A-2)V₂O₅，相对于结晶化玻璃料的总质量，以氧化物换算计，(A-1)Ag₂O和(A-2)V₂O₅的总量为80～96质量％，且(A-1)Ag₂O相对于(A-2)V₂O₅的质量比Ag₂O/V₂O₅为1.8～3.2。

10.根据权利要求1～6中任一项所述的接合体的制造方法，其中，(A)结晶化玻璃料包含Ag₂O和TeO₂。

11.根据权利要求10所述的接合体的制造方法，其中，(A)结晶化玻璃料包含选自由MoO₃、MnO₃、ZnO、CuO、TiO₂、MgO、Nb₂O₅、BaO、Al₂O₃、SnO、B₂O₃和Fe₂O₃组成的组中的至少1种氧化物。

12.根据权利要求1～8、11中任一项所述的接合体的制造方法，其中，第一被粘物为基板，第二被粘物为半导体芯片。