[发明专利]用于法布里-珀罗干涉仪的镜板以及法布里-珀罗干涉仪

权利要求书

1.一种用来制造用于法布里-珀罗干涉仪（300）的镜板（100）的方法，所述方法包括：

-提供包括硅（Si）的基板（50），

-在所述基板（50）上实现半透明反射涂层（110），

-通过在所述基板（50）中蚀刻多个空隙（E1）并且通过钝化所述空隙（E1）的表面来在所述基板（50）中和/或在所述基板（50）上形成钝化区域（70a），

-在所述钝化区域（70a）的顶部上形成第一传感器电极（G1a），以及

-形成由所述基板（50）支撑的第二传感器电极（G1b），

其中所述空隙（E1）的内宽（w_E1）在横向（SY）上小于100μm。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述空隙（E1）的总表面积大于所述钝化区域（70a）的投影面积的5倍。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，形成所述钝化区域（70a）包括：

-通过蚀刻在所述基板（50）中形成多个空隙（E1），以及

-在所述空隙（E1）的表面上形成绝缘材料（P1、E2）。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，形成所述钝化区域（70a）包括：

-通过蚀刻在所述基板（50）中形成多个空隙（E1），以及

-氧化所述空隙（E1）的表面。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，形成所述钝化区域（70a）包括：

-通过蚀刻在所述基板（50）中形成多个空隙（E1），以及

-在所述空隙（E1）的表面上沉积绝缘材料（P1）。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述钝化区域（70a）包括钝化的多孔硅（PPS），并且形成所述钝化区域（70a）包括：

-通过蚀刻将硅转换为多孔硅（70a'），以及

-对所述多孔硅（70a'）的孔隙（E1）的表面进行钝化。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述空隙（E1）的内宽（w_E1）在横向（SY）上小于10μm。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述空隙之间的壁的宽度（w_S1）在横向（SY）上小于10μm。

9.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述空隙（E1）是凹槽、孔、通道、和/或孔隙。

10.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述钝化区域（70a）的厚度（d70）大于10μm。

11.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在25℃的温度下，所述钝化区域（70a）的电导率（σ₇₀）低于所述基板（50）的硅的电导率（σ_Si）的20%。

12.一种用于法布里-珀罗干涉仪（300）的镜板（100），所述镜板（100）包括：

-基板（50），该基板（50）包括硅（Si），

-半透明反射涂层（110），该半透明反射涂层（110）在所述基板（50）上实现，

-钝化区域（70a），该钝化区域（70a）包括通过在所述基板（50）中蚀刻多个空隙（E1）以及通过钝化所述空隙（E1）的表面而形成在所述基板（50）中和/或所述基板（50）上的钝化的三维结构，

-第一传感器电极（G1a），该第一传感器电极（G1a）形成在所述钝化区域（70a）的顶部上，以及

-由所述基板（50）支撑的第二传感器电极（G1b），其中通过所述蚀刻所形成的所述空隙（E1）的内宽（w_E1）在横向（SY）上小于100μm。