[发明专利]用于测量聚合物膜的金属离子渗透率的方法和装置

说明书

本发明涉及用于测量聚合物膜的金属离子渗透率的方法以及用于测量聚合物膜的金属离子渗透率的装置，所述方法包括以下步骤：向所述聚合物膜施加电压，同时使所述聚合物膜的至少一侧与包含金属离子、有机溶剂和水性溶剂的电解液接触；以及在施加电压后，测量所述聚合物膜随时间的电阻变化率或电流变化率。

技术领域

相关申请的交叉引用

本申请要求在2015年1月29日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2015-0014306号和在2015年1月29日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2015-0014307号的权益，其公开内容通过全文引用并入本文。

本发明涉及用于测量聚合物膜的金属离子渗透率的方法和用于测量聚合物膜的金属离子渗透率的装置，更具体地，涉及这样的用于测量聚合物膜的金属离子渗透率的方法和用于测量聚合物膜的金属离子渗透率的装置：可以更容易且准确地测量用于半导体装置等的聚合物膜的金属离子渗透率，并且可以减少测量所需的时间并提高效率。

背景技术

用于半导体装置或显示装置的聚合物膜的金属离子渗透率是确保所使用的材料或最终产品可靠性的重要因素。然而，能够直接测量聚合物膜的金属离子渗透率的方法并不广为人知，并且根据先前已知的测量方法，应进行复杂的多级过程，而且所得到的聚合物膜的金属离子渗透率的测量结果的可靠性不太高。

例如，先前使用这样的方法：将待测聚合物膜导入金属离子溶液并加热，然后计算吸附至所述聚合物膜的金属离子的重量；然而，难以将获得的测量结果视为金属离子渗透率。另外，作为先前已知的另一种测量方法，已知这样的方法：使铜前体扩散进晶片，然后使待测聚合物膜结合至所述晶片以使所述铜前体再次扩散，并且量化所述聚合物膜中包含的铜离子的量。然而，根据这个方法，预处理过程和量化过程复杂，并且应使用过量的有毒物质例如氢氟酸等。

现有技术文件

专利文件

(专利文件1)韩国登记专利第1311661号

发明内容

要解决的问题

本发明的一个目标是提供用于测量聚合物膜的金属离子渗透率的方法，所述方法可以更容易且准确地测量用于半导体装置等的聚合物膜的金属离子渗透率，并且可以减少测量所需的时间并因此具有提高的效率。

本发明的另一个目标是提供用于测量聚合物膜的金属离子渗透率的装置，所述装置可以更容易且准确地测量用于半导体装置等的聚合物膜的金属离子渗透率，并且可以减少测量所需的时间并因此具有提高的效率。

解决问题的方案

本文中提供了用于测量聚合物膜的金属离子渗透率的方法，其包括以下步骤：向所述聚合物膜施加电压，同时使所述聚合物膜的至少一侧与包含金属离子、有机溶剂和水性溶剂的电解液接触；以及在施加电压后，测量所述聚合物膜随时间的电阻变化率或电流变化率。

在施加电压后，测量聚合物膜随时间的电阻变化率或电流变化率的步骤可包括以下步骤：测量在施加电压后，直到随时间的电流变化率或电阻变化率保持恒定的第一时间T的时间。

随时间的电流变化率或电阻变化率保持恒定的第一时间可以是：其中随时间的电流变化率或电阻变化率包括在所述随时间的电流变化率或电阻变化率的平均值的25％以内的范围内的时点的第一时间；或者在经过随时间的电流变化或电阻变化的拐点之后，所述随时间的电流变化或电阻变化的差值的变化率变为0的第一时间。

可将聚合物膜的金属离子渗透率定义为：在第一时间T之后，随时间的平均电流变化率或平均电阻变化率。