[实用新型]二氧化硅填充装置有效
| 申请号： | 201621303326.2 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN206225339U | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 徐纯;胡鹏飞;刘开来 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二氧化硅 填充 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种二氧化硅填充装置，其特征在于，包括：喷头、连接腔体、进气主管道、第一进气分支管道和第二进气分支管道，所述第一进气分支管道和第二进气分支管道均与所述进气主管道相连，所述进气主管道与上述连接腔体一端连通，所述连接腔体的另一端与所述喷头连通。
2.如权利要求1所述的二氧化硅填充装置，其特征在于，所述第一进气分支管道连接一氧气供给装置。
3.如权利要求2所述的二氧化硅填充装置，其特征在于，所述第二进气分支管道连接一氮气供给装置。
4.如权利要求2所述的二氧化硅填充装置，其特征在于，所述第二进气分支管道连接一惰性气体供给装置。
5.如权利要求3或4所述的二氧化硅填充装置，其特征在于，所述第二进气分支管道相比于所述第一进气管道远离所述连接腔体。
6.如权利要求1所述的二氧化硅填充装置，其特征在于，所述第二进气分支管道上安装有手动阀。
7.如权利要求1所述的二氧化硅填充装置，其特征在于，所述第二进气分支管道上安装有电磁阀。
8.如权利要求7所述的二氧化硅填充装置，其特征在于，所述电磁阀连接一计时触点装置，所述计时触点装置控制所述电磁阀的开关。
9.如权利要求8所述的二氧化硅填充装置，其特征在于，所述电磁阀为常关电磁阀。
10.如权利要求8所述的二氧化硅填充装置，其特征在于，所述计时触点装置为常开计时触点装置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201621303326.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
