[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201621056913.6 | 申请日： | 2016-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN206864471U | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | M·J·塞登;F·J·卡尔尼;E·伍塞伊 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于包括半导体管芯，所述半导体管芯包括具有第一平坦表面和与所述第一平坦表面相背对的第二弯曲的表面的基极衬底材料，其中所述半导体管芯的基极衬底材料包括图像传感器区域。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于还包括支撑所述半导体管芯的衬底。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于所述基极衬底材料的所述第二弯曲的表面朝向所述衬底取向。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于所述衬底包括位于所述管芯下方的弯曲的表面或凹陷的表面。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述图像传感器区域设置在所述基极衬底材料的所述第一平坦表面中。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于所述基极衬底材料的所述第二弯曲的表面包括多个沟槽。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述图像传感器区域设置在所述基极衬底材料的所述第二弯曲的表面中。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于还包括紧邻所述基极衬底材料的所述第二弯曲的表面的第三平坦表面。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于还包括形成于所述半导体管芯上方的金属层，所述金属层与所述图像传感器区域相背对。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于还包括半导体晶圆，所述半导体晶圆包括环绕所述半导体管芯的锯道。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
